[实用新型]一种曝光用激光换能吸收结构有效

专利信息
申请号: 201920258185.4 申请日: 2019-02-28
公开(公告)号: CN209343133U 公开(公告)日: 2019-09-03
发明(设计)人: 蔡志国;张米好;余加辉 申请(专利权)人: 深圳凯世光研股份有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309 代理人: 廉红果;侯峰
地址: 518000 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 曝光组件 吸收组件 电路板 转运平台 电磁波 基板 反射 本实用新型 吸收结构 反光 换能 曝光 激光 反射波长 曝光工艺 曝光过程 吸收波长 相对设置 吸光层 紫外线
【说明书】:

本实用新型公开了一种曝光用激光换能吸收结构,其特征在于:包括转运平台、曝光组件和至少一组吸收组件,所述曝光组件设置在所述转运平台上方,所述吸收组件相对设置在所述曝光组件的底部,所述吸收组件包括基板和敷设在所述的基板底部吸光层,所述基板与所述曝光组件连接。本实用新型通过曝光组件对转运平台上的电路板曝光的过程当中,电路板产生反光,反光反射到吸收组件,吸收组件吸收波长较短的电磁波,反射波长较长的电磁波,被反射的电磁波对转运平台上的电路板不起作用,如此减少曝光过程当中,紫外线的反射,有利于电路板曝光工艺的准确。

技术领域

本实用新型涉及线路板曝光工艺领域,具体涉及一种曝光用激光换能吸收结构及蚀刻机

背景技术

线路板的曝光工艺,是将电路图投影到基板上的工艺(激光DMD投影),基板干膜被UV激光照射,发生聚合反应,其物理和化学性质产生变化,更容易被清理掉,如此区分出有效的导电区域,在显影和蚀刻、去膜等工艺的配合下,得到最终的印刷电路板基板。

为了保证曝光的准确定,曝光所需的UV激光,通常通过平行光的形式,倾斜射入基板上,防止因为光线倾斜,在曝光工艺的进行过程当中,因为UV激光的强度较大,曝光机的曝光单元距离电路板基板很近,造成UV激光在基板和曝光单元之间不规则的反射,导致曝光工艺的不精确。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提供了一种激光换能吸收结构,其可克服上缺陷,有效防止UV激光的反射。

为实现上述目的,本实用新型所采取的技术方案是:

一种曝光用激光换能吸收结构,其特征在于:包括转运平台、曝光组件和至少一组吸收组件,所述曝光组件设置在所述转运平台上方,所述吸收组件相对设置在所述曝光组件的底部,所述吸收组件包括基板和敷设在所述的基板底部吸光层,所述基板与所述曝光组件连接。

进一步地,所述吸光层包括荧光粉层和敷设在荧光粉层上的粘合剂,所述荧光粉层通过混合的粘合剂敷设在所述基板底部。

进一步地,所述吸光层还包括隔离层,所述隔离层设置在所述荧光粉层的外侧。

进一步地,所述吸收组件设置有多组,多组所述吸收组件之间设置有收纳曝光组件的空位。

进一步地,所述曝光组件的照射方向垂直于所述的转运平台。

进一步地,还包括支架,所述基板通过所述支架与所述曝光组件固定连接。

采用上述技术方案后,曝光组件对转运平台上的电路板曝光的过程当中,电路板产生反光,反光反射到吸收组件,吸收组件吸收波长较短的UV激光,反射波长较长的红光,被反射的红光对转运平台上的电路板不起作用,如此减少曝光过程当中,UV激光的反射,有利于电路板曝光工艺的准确。

附图说明

图1是本实用新型结构示意图。

图2是本实用新型曝光组件、支架和吸收组件的装配结构示意图。

图3是本实用新型吸收组件的结构示意图。

附图标记说明:

1——转运平台、2——曝光组件、3——吸收组件、31——基板、32——吸光层、321——荧光粉层、322——隔离层、4——支架、A——空位。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步详细的说明。

如图1所示,其公开了一种曝光用激光换能吸收结构,包括转运平台1、曝光组件2、吸收组件3及支架4,其中:

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