[实用新型]一种高压输入下电容恒流充电实现电路

权利要求书

1.一种高压输入下电容恒流充电实现电路，其特征在于：包括输入电路模块、高压电容模块、充电回路模块和恒流充电控制模块，其中，输入电路模块的输出端、高压电容模块的输入端、充电回路模块的输入正端相连接，高压电容模块的输出端与充电回路模块的输入负端连接，恒流充电控制模块的输出端与充电回路模块的控制端连接。

2.如权利要求1所述的一种高压输入下电容恒流充电实现电路，其特征在于：所述输入电路模块包括输入直流源和防反二极管，输入直流源的正极连接防反二极管的阳极，防反二极管的阴极作为输入电路模块的输出端，输入直流源的负极接地。

3.如权利要求1所述的一种高压输入下电容恒流充电实现电路，其特征在于：所述高压电容模块包含至少一个串联支路，当包含有两个及以上串联支路时，所有串联支路相互并联，并联后的一端作为高压电容模块的输入端，另一端作为高压电容模块的输出端；各串联支路中包含有至少一个电容单元，各串联支路中的所有电容单元相互串联。

4.如权利要求3所述的一种高压输入下电容恒流充电实现电路，其特征在于：所述电容单元包括相互并联的一个电解电容和一个电阻R0。

5.如权利要求1所述的一种高压输入下电容恒流充电实现电路，其特征在于：所述充电回路模块包括第一至第三电阻、第一至第四二极管、电感、电容和半导体开关管，其中，第四二极管的阴极作为充电回路模块的输入正端，第四二极管的阳极连接半导体开关管的漏极，半导体开关管的源极接地，半导体开关管的栅极作为充电回路模块的控制端；第四二极管的阳极还经由电感连接第一电阻的一端，第一电阻的另一端作为充电回路模块的输入负端，分别连接第一、第二二极管的阳极，第一二极管的阴极经由第二电阻连接第二二极管的阴极，电容与第一二极管并联，第二二极管的阴极经由第三电阻接地；第三二极管的阴极连接第二二极管的阳极，第三二极管的阳极接地。

6.如权利要求5所述的一种高压输入下电容恒流充电实现电路，其特征在于：所述半导体开关管采用N型MOSFET。

7.如权利要求5所述的一种高压输入下电容恒流充电实现电路，其特征在于：所述恒流充电控制模块包括第一至第三比较器、第四至第十二电阻、第五二极管和驱动芯片，其中，第一比较器的正端连接在电感和第一电阻之间，第一比较器的负端连接第一二极管的阴极；第四电阻连接在电源与第一比较器的输出端之间；第二比较器的正端经由第九电阻连接第五二极管的阳极，第五二极管的阴极接地，第二比较器的负端经第十电阻连接高压电容模块的输出端，第六电阻连接在第二比较器的正端和输出端之间；第五、第七电阻串联后，一端连接第五二极管的阳极，另一端连接第二比较器的输出端；第二比较器的输出端连接第三比较器的负端，第三比较器的正端经由第八电阻接电源，第三比较器的正端还经由第十一电阻接地，第三比较器的输出端连接驱动芯片的输入端；第十二电阻的一端连接第三比较器的输出端，另一端接地；第一比较器的输出端还与第三比较器的输出端相连接；驱动芯片的输出端作为恒流充电控制模块的输出端。