[实用新型]浪涌防护电路有效
申请号: | 201920213318.6 | 申请日: | 2019-02-20 |
公开(公告)号: | CN209344773U | 公开(公告)日: | 2019-09-03 |
发明(设计)人: | 开秋月 | 申请(专利权)人: | 广州视源电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H02H9/02 | 分类号: | H02H9/02;H02H9/04 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 周清华 |
地址: | 510530 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 输入端 浪涌防护 浪涌防护电路 导通 浪涌 阈值判断模块 本实用新型 第一开关 后级电路 模块接入 开关端 输出端 误触发 与逻辑 预设 | ||
1.一种浪涌防护电路,其特征在于,包括阈值判断模块、受控开关模块和浪涌防护模块;
所述阈值判断模块的第一判断端用于连接第一输入端,所述阈值判断模块的第二判断端用于连接第二输入端,所述阈值判断模块的逻辑输出端用于连接所述受控开关模块的受控端;
所述受控开关模块的第一开关端、所述受控开关模块的第二开关端与所述浪涌防护模块串接在所述第一输入端与所述第二输入端之间;
所述第一输入端输出大于预设阈值的浪涌时,所述第一判断端与所述逻辑输出端导通,使所述第一开关端与所述第二开关端导通,所述浪涌防护模块接入所述第一输入端与所述第二输入端间抑制浪涌;
所述第二输入端输出大于预设阈值的浪涌时,所述第二判断端与所述逻辑输出端导通,使所述第一开关端与所述第二开关端导通,所述浪涌防护模块接入所述第一输入端与所述第二输入端间抑制浪涌。
2.根据权利要求1所述的浪涌防护电路,其特征在于,所述阈值判断模块包括第一二极管和第二二极管;
所述第一二极管的负极为所述第一判断端,所述第二二极管的负极为所述第二判断端;
所述第一二极管的正极与所述第二二极管的正极为所述逻辑输出端。
3.根据权利要求2所述的浪涌防护电路,其特征在于,所述第一二极管与所述第二二极管均为瞬态抑制二极管。
4.根据权利要求2所述的浪涌防护电路,其特征在于,还包括第一保护电阻和第二保护电阻;
所述第一二极管的正极连接所述第一保护电阻的一端,所述第一保护电阻的另一端为所述逻辑输出端;
所述第二二极管的正极连接所述第二保护电阻的一端,所述第二保护电阻的另一端为所述逻辑输出端。
5.根据权利要求2所述的浪涌防护电路,其特征在于,还包括可调电阻;
所述逻辑输出端用于通过所述可调电阻接地。
6.根据权利要求1所述的浪涌防护电路,其特征在于,所述阈值判断模块包括第一电压比较器和第二电压比较器;
所述第一电压比较器的同相输入端为所述第一判断端,所述第二电压比较器的同相输入端为所述第二判断端;
所述第一电压比较器的反相输入端与所述第二电压比较器的反相输入端用于连接逻辑低电平端;
所述第一电压比较器的输出端与所述第二电压比较器的输出端为所述逻辑输出端。
7.根据权利要求1所述的浪涌防护电路,其特征在于,所述受控开关模块包括半导体开关或开关芯片。
8.根据权利要求7所述的浪涌防护电路,其特征在于,所述半导体开关包括双向可控硅;
所述双向可控硅的栅极为所述受控端,所述双向可控硅的一集电极为所述第一开关端,所述双向可控硅的另一集电极为所述第二开关端。
9.根据权利要求1所述的浪涌防护电路,其特征在于,所述浪涌防护模块包括压敏电阻。
10.根据权利要求1所述的浪涌防护电路,其特征在于,所述浪涌防护模块包括气体放电管。
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