[实用新型]一种应用于薄片样品研磨去层过程中的定位装置

说明书

一种应用于薄片样品研磨去层过程中的定位装置，所述定位装置包括基座、样品台和微分头；所述基座的内部空间分为上收容腔和下收容腔；所述样品台仅可上下移动地容置于所述上收容空间内，所述样品台的上表面与所述基座的上端面平行；所述微分头自下而上地伸入所述下收容腔内，所述微分头与所述基座之间通过紧固件固定，所述微分头的输出杆对准所述样品台用于推动所述样品台上下移动。采用上述结构的定位装置时，将样品放置在样品台的上表面，通过微分头推动样品台以微米级地进给量向上移动，使得样品需要去除的部分高于基座的上端面，然后通过手动慢速研磨，去除掉样品的高出基座的上端面的部分，从而达到精确去层的目的。

技术领域

本实用新型涉及半导体测试分析领域，具体涉及一种一种应用于薄片样品研磨去层过程中的定位装置。

背景技术

随着半导体集成电路的集成度越来越高，芯片中晶体管的集成度逐渐达到上限。层叠芯片(3DIC)技术通过键合工艺实现多个芯片之间的垂直互连，增加了芯片的空间，提高了晶体管的集成度，同时还能提高集成电路的工作速度，降低集成电路的功耗。目前，层叠芯片技术已成为集成电路设计的趋势，但是这也给芯片失效后的失效点定位及分析带来了极大的困扰。失效分析过程中，常常需要对每一层叠进行逐层去除，对每一层叠进行观察，寻找失效点，采用传统的物理或化学去层效果不佳，难以做到精确的去除要求厚度，导致难以做到对指定的某一层叠进行观察。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是，针对现有技术存在的问题，提供一种应用于薄片样品研磨去层过程中的定位装置，其可以在对层叠芯片进行机械研磨去层的过程中，定位所述层叠芯片并精确控制去除量，也就是说，帮助我们做到精确的去除要求厚度，以便对指定的某一层叠进行观察。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种应用于薄片样品研磨去层过程中的定位装置，所述定位装置包括基座、样品台和微分头；所述基座的内部空间分为上收容腔和下收容腔；所述样品台仅可上下移动地容置于所述上收容空间内，所述样品台的上表面与所述基座的上端面平行；所述微分头自下而上地伸入所述下收容腔内，所述微分头与所述基座之间通过紧固件固定，所述微分头的输出杆对准所述样品台用于推动所述样品台上下移动。

采用上述结构的定位装置时，将样品放置在样品台的上表面，通过微分头推动样品台以微米级地进给量向上移动，使得样品需要去除的部分高于基座的上端面，然后通过手动慢速研磨，去除掉样品的高出基座的上端面的部分，从而达到精确去层的目的。

本实用新型提供的应用于薄片样品研磨去层过程中的定位装置中，所述样品台呈圆柱结构或长方体结构，所述样品台的周侧面与所述基座的内壁面贴合。如此，所述样品台在被所述微分头推动而向上移动时，不会发生摇摆晃动，保证放置在所述样品台上的样品稳定。

本实用新型提供的应用于薄片样品研磨去层过程中的定位装置中，所述微分头的输出杆与所述样品台同轴，所述微分头的输出杆的端面与所述样品台的下表面平行。如此，保证所述微分头的输出杆能够平稳的推动所述样品台向上移动。

本实用新型提供的应用于薄片样品研磨去层过程中的定位装置中，所述基座包括环绕所述上收容腔的第一周侧壁和环绕所述下收容腔的第二周侧壁，所述第一周侧壁的上端面与所述样品台的上表面平行；所述基座还包括中间具有通孔的支撑壁，所述支撑壁的上表面和下表面分别连接所述第一周侧壁的下端面和所述第二周侧壁的上端面，所述支撑壁的上表面与所述样品台的下表面平行用于支撑所述样品台，所述上收容腔与所述下收容腔通过所述通孔连通。如此，当所述微分头与所述样品台之间无相互作用力时，所述支撑壁可以起到支撑所述样品台的作用，以免所述微分头的输出杆长时间承受所述样品台的压力，影响所述微分头的测量精度。

本实用新型提供的应用于薄片样品研磨去层过程中的定位装置中，所述通孔与所述微分头的输出杆同轴。