[实用新型]低压差线性稳压器系统

权利要求书

1.一种低压差线性稳压器系统，其特征在于，包括：

误差放大器，所述误差放大器的反相输入端与基准参考电压V_REF连接，所述误差放大器的正相输入端与输出电压V_OUT连接；

功率管，所述功率管的栅端与所述误差放大器的输出端连接，所述功率管的源端与电源电压VDD连接，所述功率管的漏端与LDO输出电压V_OUT连接；

转换效率增强电路，所述转换效率增强电路的一端与所述误差放大器的正相输入端及所述功率管的漏端连接，所述转换效率增强电路的另一端接地；

摆率增强电路，所述摆率增强电路输出端与所述误差放大器的输出端及功率管的栅端连接；其中所述摆率增强电路包括过冲抑制单元及欠冲抑制单元。

2.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器系统，其特征在于，所述过冲抑制单元包括：

第九P型MOS管，所述第九P型MOS管的栅端与偏置电压VBP1连接，所述第九P型MOS管的源端与VDD连接；

第十P型MOS管，所述第十P型MOS管的栅端与偏置电压VBP1连接，所述第十P型MOS管的源端与VDD连接；

第十一P型MOS管，所述第十一P型MOS管的栅端与偏置电压VBP1连接，所述第十一P型MOS管的源端与VDD连接；

第十二P型MOS管，所述第十二P型MOS管的源端与所述第十一P型MOS管的漏端连接，所述第十二P型MOS管的漏端与驱动电压V_PG连接；

第十三N型MOS管，所述第十三N型MOS管的漏端与所述第九P型MOS管的漏端连接，所述第十三N型MOS管的漏端与所述第十三N型MOS管的栅端连接，所述第十三N型MOS管的源端接地；

第十四N型MOS管，所述第十四N型MOS管的漏端与所述第十P型MOS管的漏端及所述第十二P型MOS管的栅端连接，所述第十四N型MOS管的栅端与所述第十三N型MOS管的栅端连接，所述第十四N型MOS管的源端接地；

第一电容器，所述第一电容器的一端分别与所述第九P型MOS管的漏端、所述第十三N型MOS管的栅端及所述第十四N型MOS管的栅端连接，所述第一电容器的另一端输出电压V_OUT连接。

3.根据权利要求2所述的低压差线性稳压器系统，其特征在于，所述欠冲抑制单元包括：

第十五N型MOS管，所述第十五N型MOS管的栅端与偏置电压VBN1连接，所述第十五N型MOS管的源端接地；

第十六N型MOS管，所述第十六N型MOS管的栅端与偏置电压VBN1连接，所述第十六N型MOS管的源端接地；

第十七N型MOS管，所述第十七N型MOS管的栅端与偏置电压VBN1连接，所述第十七N型MOS管的源端接地；

第十八N型MOS管，所述第十八N型MOS管的源端与所述第十七N型MOS管漏端连接，所述第十八N型MOS管的漏端与驱动电压V_PG连接；

第十三P型MOS管，所述第十三P型MOS管的漏端与所述第十五N型MOS管的漏端连接，所述第十三P型MOS管的源端与VDD连接，所述第十三P型MOS管的漏端与所述第十三P型MOS管的栅端连接；

第十四P型MOS管，所述第十四P型MOS管的栅端与所述第十三P型MOS管的栅端连接，所述第十四P型MOS管的漏端分别与所述第十六N型MOS管的漏端及所述第十八N型MOS管的栅端连接；

第二电容器，所述第二电容器的一端分别与所述第十三P型MOS管的栅端及所述第十四P型MOS管的栅端连接，所述第一电容器的另一端输出电压V_OUT连接。