[实用新型]一种二极管吸收电路

说明书

本实用新型公开了一种二极管吸收电路，包括可变电阻RP、二极管D1和TVS二极管ZD1；所述TVS二极管ZD1的正极分别与外接电源的正极V+、变压器T1原边的第一端连接；所述二极管D1的正极分别与MOS开关管的漏极、变压器T1原边的第二端连接；所述TVS二极管ZD1的负极通过所述可变电阻RP与所述二极管D1的负极连接。本实用新型采用三颗甚至两颗元器件能够实现原有RCD电路的吸收作用，减小了元器件的使用数量，降低了PCB占用空间，并提高了其布局利用率；相比于RCD吸收电路在负载端空载、轻载时具有更低的损耗；降低了MOS开关管上的震荡，有效改善了整个电路的EMI性能。

技术领域

本实用新型涉及到电子电源技术领域，尤其涉及到一种二极管吸收电路。

背景技术

在电源电路设计领域，传统RCD电路和阻尼电路在充电器，适配器等应用中应用广泛，可以降低变压器漏感对开关器件所造成的冲击，如图2所示的传统的RCD吸收电路包括两个电阻、一个电容、一个二极管，但是，其仍然存在以下问题：

1)传统RCD电路的3pcs-4pcs器件占用空间比较大；

2)空载及低载损耗比较高；

3)传统的RCD线路的EMI特性不够优化。

因此，现有技术存在缺陷，需要改进。

实用新型内容

本实用新型提供一种二极管吸收电路,解决的上述问题。

为解决上述问题，本实用新型提供的技术方案如下：

一种二极管吸收电路，包括可变电阻RP、二极管D1和TVS二极管ZD1；所述TVS二极管ZD1的正极分别与外接电源的正极V+、变压器T1原边的第一端连接；所述二极管D1的正极分别与MOS开关管的漏极、变压器T1原边的第二端连接；所述TVS二极管ZD1的负极通过所述可变电阻RP与所述二极管D1的负极连接。

优选的技术方案，当MOS开关管Q1关闭时，二极管吸收电路用于吸收变压器T1副边的反射电压和由变压器漏感所产生的尖峰电压。

优选的技术方案，所述可变电阻RP的阻值随着二极管吸收电路吸收功率的增加而增大。

优选的技术方案，二极管吸收电路吸收功率不大于18W时，所述可变电阻RP的阻值为零或者可省略所述可变电阻RP。

优选的技术方案，采用DO-15封装形式将所述二极管D1和TVS二极管ZD1封装为单颗元器件。

相对于现有技术的有益效果是，采用上述方案，本实用新型采用三颗甚至两颗元器件能够实现原有RCD电路的吸收作用，减小了元器件的使用数量，降低了PCB占用空间，并提高了其布局利用率；相比于RCD吸收电路在负载端空载、轻载时具有更低的损耗；降低了MOS开关管上的震荡，有效改善了整个电路的EMI性能。

附图说明

为了更清楚的说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需使用的附图作简单介绍，显而易见的，下面描述中的附图仅仅是实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型的一种二极管吸收电路电路原理图；

图2为传统的RCD吸收电路电路原理图；

图3为本实用新型与传统的RCD吸收电路在空载时的损耗对比图；

图4为本实用新型的吸收电路与普通二极管在AC90V时的输入条件下的Vds电压对比；

图5为本实用新型的吸收电路与普通二极管在AC230V时的输入条件下的Vds电压对比；