[发明专利]温补层结构、体声波谐振器及制造方法，滤波器、电子设备

说明书

本发明涉及一种温补层结构，包括温补层，所述温补层的端部的上侧为斜面以使得温补层的端部为楔形端面，温补层的端部的上侧与温补层的底侧之间形成的角度小于60°；覆盖在温补层上方的上种子层，其中：所述上种子层的至少一端具有延伸到温补层的外侧的延伸部。本发明还涉及一种体声波谐振器，一种温补层结构的制造方法，一种体声波谐振器的制造方法，一种滤波器以及一种电子设备。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种温补层结构及其制造方法，一种体声波谐振器，一种滤波器，一种子设备。

背景技术

目前，体声波谐振器一般具有负频率温漂系数，其频率温漂系数大概是-30PPM/K，其原因在于体声波谐振器的压电材料和电极材料是负频率温漂系数，这表示这些材料的刚度会随着温度的升高而减小,刚度降低会使声速下降。结合V＝F*λ＝F*2d(其中V为声速，F为频率，λ为波长，d为压电层厚度)，所以频率会降低；但当温度升高时，SiO₂以及正频率温漂系数材料的刚度会提高。所以可以通过增加SiO₂以及正频率温漂系数材料层(即温补层)，来防止谐振器刚度下降导致声速下降，从而防止频率漂移。

但是，但是在制造过程中，温补层的工艺兼容性不好，FBAR的后期制作工艺流程容易导致温补层的损坏。所以如何在制造上实现一个稳定完整的温补层是业界难题。

发明内容

为解决现有技术中的上述技术问题的至少一个方面，提出本发明。

根据本发明的实施例的一个方面，提出了一种温补层结构，包括：

温补层，所述温补层的端部的上侧为斜面以使得温补层的端部为楔形端面，温补层的端部的上侧与温补层的底侧之间形成的角度小于60°；

覆盖在温补层上方的上种子层，

其中：

所述上种子层的至少一端具有延伸到温补层的外侧的延伸部。

根据本发明的实施例的另一方面，提出了一种形成温补层结构的方法，所述温补层结构包括温补层，覆盖在温补层上方的上种子层，所述方法包括步骤：

在一层谐振器材料上温补层；

图形化温补层，使得温补层的端部的上侧为斜面以使得温补层的端部为楔形端面，温补层的端部的上侧与温补层的底侧之间形成的角度小于60°；

在图形化的温补层覆盖上种子层，使得上种子层的至少一端延伸到温补层的外侧而具有延伸部；

图形化上种子层，以使得上种子层的延伸部的延伸长度为预定长度。

根据本发明的实施例的再一方面，还提出了一种形成温补层结构的方法，所述温补层结构包括温补层，设置在温补层下方的下种子层和覆盖在温补层上方的上种子层，所述方法包括步骤：

在一层谐振器材料上依次设置下种子层以及温补层；

图形化温补层以及下种子层，使得温补层的端部的上侧为斜面以使得温补层的端部为楔形端面且第一种子层的端部至少与温补层的端部齐平，温补层的端部的上侧与温补层的底侧之间形成的角度小于60°；

在图形化的温补层和下种子层上覆盖上种子层，使得上种子层的至少一端延伸到温补层的外侧而具有延伸部；

图形化上种子层，以使得上种子层的延伸部的延伸长度为预定长度。

根据本发明的实施例的还一方面，提出了一种体声波谐振器，包括：

声学镜；

底电极；

顶电极；和

压电层，

其中：