[发明专利]一种两茬洋甘菊种植方法有效

专利信息
申请号: 201911403673.0 申请日: 2019-12-31
公开(公告)号: CN111011119B 公开(公告)日: 2021-09-03
发明(设计)人: 陈凤翔;常彩霞;周凤霞;郭海辉 申请(专利权)人: 酒泉市蓝翔园艺种苗有限责任公司
主分类号: A01G22/00 分类号: A01G22/00;A01G31/00
代理公司: 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 代理人: 林秀香
地址: 735000*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要:
搜索关键词: 一种 两茬洋 甘菊 种植 方法
【权利要求书】:

1.一种两茬洋甘菊种植方法,其特征在于,该种植方法包括以下步骤:

(1)土地处理:

a.在4月初将基质土按照间隔15cm、垄宽30cm、垄高10cm对种植田地进行起垄、压实;

b.浇水灌溉至漫过垄面,晾晒一周后整平垄面;

c.晾晒后对种植田间进行全覆膜处理;

(2)选种:选择纯正、饱满、发芽率高的种子进行浸泡、冷等离子体处理、红外干燥处理后备用;

(3)播种:将步骤(2)中选取的种子在4月底按照植株间距15—20cm,每穴2—3粒种子进行直播播种,播种后7—10天发芽,待发芽齐整后均匀喷水保湿;

(4)田间管理:

a.苗种生长至5—7cm后,先用65%代森锌可湿性粉剂按照1:600的比例加水配制喷洒液I,进行第一次叶面喷洒防病害处理;

b.苗种生长至10—12cm后及时进行间苗处理,每穴留1珠生长好的苗种,间苗后隔3—5天用25%西维因可湿性粉剂按照1:500的比例加水配制喷洒液II,进行第二次杆径喷洒防病害处理;

c.6月初—6月中旬搭设遮阴网,并在田间水槽内按照15—20cm间距打孔,浇水灌溉至水槽三分之一处;

d.苗种生长至出现花蕾时进行打顶处理促进茎秆粗壮生长和多枝生长;

(5)采收:

a.7月底去除遮阴网后,通过充足的阳光照晒15—20天,将首次完全开放的花朵进行采摘、阴干处理;

b.8月中旬将全部花蕾采摘后,平整割除垄面以上茎秆,选取健壮的茎秆去头留种;

c.割除茎秆后对种植田间进行漫垄浇灌;

(6)水培:将步骤(5b)中留种的茎秆放入水培液中培育出须根;

(7)插播:9月中旬将培育出须根的洋甘菊在步骤(4c)中的孔穴内每穴插播一株;

(8)插播管理:10月初用有机液态肥兑入300倍水后对珠苗茎秆喷洒追肥一次;

(9)花朵、全草采收:11月初至11月中旬将大部分开放的花朵采摘、阴干,并将采摘后地上部分茎秆割除、阴干,完成全草和花朵采收工作。

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