[发明专利]一种均匀镀膜方法、镀膜设备及计算机可读存储介质有效

专利信息
申请号: 201911383950.6 申请日: 2019-12-28
公开(公告)号: CN111041441B 公开(公告)日: 2021-04-13
发明(设计)人: 王延超;刘震;杨海贵;高劲松;王笑夷 申请(专利权)人: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/46;C23C14/54
代理公司: 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 代理人: 曹卫良
地址: 130033 吉林省长春*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 一种 均匀 镀膜 方法 设备 计算机 可读 存储 介质
【权利要求书】:

1.一种均匀镀膜方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1),根据待沉积光学元件的面形确定沉积源的第一沉积函数分布特性;

(2),根据待沉积光学元件的面形和沉积源的第一沉积函数分布特性确定沉积源的移动轨迹;

(3),根据沉积源沿其移动轨迹移动时与待沉积光学元件的相对位置关系的变化,获得沉积源的第二沉积函数分布特性;

(4),根据沉积源的第二沉积函数分布特性求解出沉积源移动过程中的移动状态;

(5),采用求解出的沉积源移动过程中的移动状态进行虚拟镀膜,获得虚拟镀膜结果;在对沉积源进行沉积后,将虚拟镀膜结果和沉积源的实际沉积结果进行验证;

若虚拟镀膜结果与实际沉积结果的不吻合,则在对沉积源进行调节后,重复步骤(1)至步骤(4),直至虚拟镀膜结果与实际沉积结果吻合。

2.根据权利要求1所述的均匀镀膜方法,其特征在于,步骤(5)中,所述沉积源在沉积的过程中移动,所述沉积源的移动轨迹为直线移动轨迹或往复移动轨迹或沿着光栅移动的轨迹。

3.根据权利要求1所述的均匀镀膜方法,其特征在于,所述沉积源的移动轨迹在沉积过程中贯穿或者覆盖待沉积光学元件的大部分面积。

4.根据权利要求1所述的均匀镀膜方法,其特征在于,所述沉积源沿其移动轨迹做匀速移动或变速移动。

5.根据权利要求1所述的均匀镀膜方法,其特征在于,步骤(5)中,所述沉积源沉积前,通过对沉积源的移动状态和移动轨迹进行规划实现对沉积源的移动状态和移动轨迹进行调节。

6.根据权利要求5所述的均匀镀膜方法,其特征在于,根据不同待沉积光学元件的面形以及沉积源的沉积情况计算,并求解得到沉积源的移动方式以实现对沉积源的移动状态和移动轨迹进行规划。

7.一种镀膜设备,其特征在于,包括:

第一沉积函数模块,所述第一沉积函数模块用于根据待沉积光学元件的面形确定沉积源的第一沉积函数分布特性;

移动轨迹模块,所述移动轨迹模块用于根据待沉积光学元件的面形和沉积源的第一沉积函数分布特性确定沉积源的移动轨迹;

第二沉积函数模块,所述第二沉积函数模块用于根据沉积源沿其移动轨迹移动时与待沉积光学元件的相对位置关系的变化,获得沉积源的第二沉积函数分布特性;

移动状态模块,所述移动状态模块用于根据沉积源的第二沉积函数分布特性求解出沉积源移动过程中的移动状态;

验证模块,所述验证模块用于采用求解出的沉积源移动过程中的移动状态进行虚拟镀膜,获得虚拟镀膜结果;在对沉积源进行沉积后,将虚拟镀膜结果和沉积源的实际沉积结果进行验证;

若虚拟镀膜结果与实际沉积结果的不吻合,则在对沉积源进行调节后,重复第一沉积函数模块至验证模块的处理,直至虚拟镀膜结果与实际沉积结果吻合。

8.根据权利要求7所述的镀膜设备,其特征在于,所述沉积源为磁控溅射系统或者离子束溅射系统。

9.根据权利要求7所述的镀膜设备,其特征在于,所述待沉积光学元件的面形为中心有孔形或中心无孔形。

10.根据权利要求7所述的镀膜设备,其特征在于,所述待沉积光学元件的面形为离轴非球面形。

11.根据权利要求7所述的镀膜设备,其特征在于,所述待沉积光学元件的面形为共体光学元件。

12.一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至6任一项所述均匀镀膜方法的步骤。

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