[发明专利]一种内存测试方法及内存测试设备在审
申请号: | 201911382043.X | 申请日: | 2019-12-27 |
公开(公告)号: | CN113053452A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 韩小兵;戴清海;钟衍徽 | 申请(专利权)人: | 中山市江波龙电子有限公司 |
主分类号: | G11C29/50 | 分类号: | G11C29/50;G11C29/56 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 黎坚怡 |
地址: | 528400 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 内存 测试 方法 设备 | ||
本发明提供一种内存测试方法,包括:控制待测内存的至少一个工作电压和/或运行频率按照预设规则进行变化;以及在变化中的至少一个工作电压和/或运行频率下,控制执行至少一个图形算法,以对所述待测内存进行测试。本发明还提供相应的内存测试设备。本发明能够有效提高良品率。
技术领域
本发明的所公开实施例涉及存储器领域,且更具体而言,涉及一种内存测试方法及内存测试设备。
背景技术
目前,DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器)的测试主要分为机台测试,例如Advantest系列等机台,以及平台测试,例如ARM平台、X86平台等。在机台测试或平台测试中,分别运行不同的测试算法,以验证DRAM颗粒是否良品。
其中,机台测试或平台测试中的各种图形(Pattern)测试算法,均是在固定电压及固定频率下进行测试,这样待测DRAM颗粒是针对特定电压及频率而言,无法确定待测DRAM颗粒的稳定性,从而无法提高测试的良品率。
发明内容
根据本发明的实施例,本发明提出一种内存测试方法及内存测试设备,以解决上述问题。
根据本发明的第一方面,公开一种实例性的内存测试方法,包括:控制待测内存的至少一个工作电压和/或运行频率按照预设规则进行变化;以及在变化中的至少一个工作电压和/或运行频率下,控制执行至少一个图形算法,以对所述待测内存进行测试。
在一些实施例中,所述预设规则包括间隔预设时间等值下降的规则、间隔预设时间等值上升的规则和随机变化的规则中至少一个。
在一些实施例中,所述控制所述待测内存的至少一个工作电压和/或运行频率按照预设规则进行变化,包括:控制所述待测内存的至少一个工作电压按照所述间隔预设时间等值下降的规则、所述间隔预设时间等值上升的规则或所述随机变化的规则进行变化。
在一些实施例中,所述控制所述待测内存的至少一个工作电压和/或运行频率按照预设规则进行变化,包括:控制所述待测内存的运行频率按照所述间隔预设时间等值下降的规则、所述间隔预设时间等值上升的规则或所述随机变化的规则进行变化。
在一些实施例中,所述控制所述待测内存的至少一个工作电压和/或运行频率按照预设规则进行变化,包括:控制所述待测内存的至少一个工作电压按照所述间隔预设时间等值下降的规则、所述间隔预设时间等值上升的规则或所述随机变化的规则进行变化;以及控制所述待测内存的运行频率按照所述间隔预设时间等值下降的规则、所述间隔预设时间等值上升的规则或所述随机变化进行变化。
在一些实施例中,该方法进一步包括:控制对所述待测内存执行读写测试,以获取所述待测内存读取的数据和写入的数据;判断所述读取的数据与所述写入的数据是否一致;若是,则所述待测内存通过所述至少一个图形算法所对应的测试。
在一些实施例中,所述至少一个图形算法包括全0/全1图形算法、奇偶校验板图形算法和齐步图形算法。
在一些实施例中,所述待测内存包括DDR和LPDDR
在一些实施例中,所述至少一个工作电压包括第一工作电压VDD、第二工作电压VDD1、第三工作电压VDD2和第四工作电压VDDQ中的至少一个。
根据本发明的第二方面,公开一种实例性的一种内存测试设备,包括与内存连接的控制电路和与所述控制电路连接的存储电路,其中,所述存储电路存储有测试程序,在执行时使得所述控制电路执行如上述第一方面中所述的内存测试方法。
本发明的有益效果有:通过控制待测内存的至少一个工作电压和/或运行频率按照预设规则进行变化,增大待测内存中颗粒的测试压力,使得在变化中的至少一个工作电压和/或运行频率下,控制至少一个图形算法,以对待测内存进行测试,实现测试出稳定性高的内存,排除稳定性差的内存,有效提高良品率。
附图说明
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