[发明专利]一种基于FPGA的DDR3多通道读写控制器及控制方法在审
申请号: | 201911373430.7 | 申请日: | 2019-12-26 |
公开(公告)号: | CN111158633A | 公开(公告)日: | 2020-05-15 |
发明(设计)人: | 王成栋;黄齐;马运超;杨冬辰;王成 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G06F5/06 | 分类号: | G06F5/06;G06F13/16;G06F13/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 fpga ddr3 通道 读写 控制器 控制 方法 | ||
本发明公开了一种基于FPGA的DDR3多通道读写控制器及控制方法,DDR3的多通道读写由FPGA实现,控制器包括多组数据写通道、多组数据读通道、读写控制状态机和DDR3芯片控制器。其中多组数据的写通道和读通道分别由异步的写地址FIFO、读地址FIFO和数据FIFO组成;读写控制模块轮询处理各通道的读写请求,并依据各通道状态动态改变每次处理的地址请求个数,通过DDR3芯片控制器依据各通道的优先级对DDR3芯片进行数据的读、写操作。采用这种控制方法的DDR3读写控制器能实现对DDR3芯片的多通道实时访问。
技术领域
本发明涉及基于FPGA的DDR3读写控制器领域,涉及存储器的多通道数据读写。
背景技术
DDR3 SDRAM存储器,即第三代双倍速率同步动态随机存储器,以下简称DDR3,因其具有容量大、速度快、低功耗等优点,在计算机、电子通信等领域得到了广泛应用。FPGA,即现场可编程门阵列,由于其具有高速的并行能力,在信号处理、图像处理领域有大量应用,由于FPGA的片上Block Ram容量有限,当需要处理大量数据时,常使用DDR3芯片扩展存储。
在一个包含FPGA和DDR3的系统中,DDR3作为大容量存储器,通常作为系统数据缓冲区使用,是各个模块数据交换的媒介。无论直接控制DDR3芯片或者使用IP核读写DDR3芯片,单个数据通道的DDR3芯片往往不能满足系统大量、高速的数据读写需求。因此,需要扩展读写通道,对DDR3进行多通道的同时读取与写入,其中的多通道控制器及相应的控制方法十分重要。
发明内容
针对FPGA系统中多个模块需要对一片DDR3芯片同时进行高速写入或读取的需求,本发明公开了一种基于FPGA的DDR3多通道读写控制器及控制方法,技术方案如下:
DDR3的多通道读写控制采用FPGA实现,控制器包括:多组数据写通道、多组数据读通道、读写控制状态机和DDR3芯片控制器;
其中多组数据写通道包括异步写地址FIFO和异步写数据FIFO;多组数据读通道包括异步读地址FIFO和异步读数据FIFO;
读写控制状态机和DDR3芯片控制器组成读写控制模块,读写控制模块与数据读写通道都与DDR3芯片控制器相连接;异步写地址FIFO和异步写数据FIFO为数据写通道的地址和数据缓存,写时钟为用户操作时钟,读时钟为读写控制器工作时钟;异步读地址FIFO为数据读通道的地址缓存,写时钟为用户操作时钟,读时钟为读写控制器工作时钟;异步读数据FIFO为数据读通道的数据缓存,写时钟为读写控制器工作时钟,读时钟为用户操作时钟,并且配置程控写满标志;
异步写地址FIFO和异步读地址FIFO的位宽与DDR3芯片控制器地址的位宽相同,异步写数据FIFO和异步读数据FIFO的位宽与DDR3芯片控制器数据的位宽相同。
读写控制模块以写通道的写地址FIFO读空信号为低作为写请求,以读通道的读地址FIFO读空信号为低且读数据FIFO程控写满标志为低作为读请求,根据通道的优先级通过DDR3芯片控制器对DDR3芯片进行数据的读、写操作;
读写控制模块中的读写控制状态机包含A、B、C、D、E共5种状态,各状态的含义、执行操作及转移流程如下:
状态A:状态A为初始状态,执行的操作包括:复位各通道FIFO,初始化各通道处理标记和各通道最大转移数据个数,并为每个通道设置优先级,通过DDR3芯片控制器初始化DDR3芯片,等待DDR3芯片初始化完成,然后转移至状态B;
状态B:状态B为空闲状态,执行的操作包括:检查未处理的各通道是否有请求,若各通道均无请求,则重置通道处理标记;否则,选择未处理的各请求通道中优先级最高的通道作为待处理数据通道;若选通的待处理数据通道为写通道,则转移至状态C;若选通的待处理数据通道为读通道,则转移至状态E;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911373430.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。