[发明专利]切断元件和切断元件电路

权利要求书

1.一种切断元件，其中，具备：

绝缘基板；

第一和第二电极，形成在所述绝缘基板上，构成第一电路；

第三～第五电极，形成在所述绝缘基板上，构成第二电路；

第一可熔导体，跨载于所述第一和第二电极之间并通过焊料连接；

发热体，连接在所述第三和第四电极之间；以及

第二可熔导体，跨载于所述第四和第五电极之间并通过焊料连接，

通过使电流流过所述第三～第五电极之间而所述发热体所发出的热，在使所述第一可熔导体熔断后，使所述第二可熔导体熔断，

所述第二电路以与所述第一电路电独立的方式形成，

所述第一可熔导体搭载于比所述第二可熔导体接近所述发热体的发热中心的位置，

所述第一可熔导体和/或所述第二可熔导体含有低熔点金属与高熔点金属，

所述低熔点金属通过来自所述发热体的加热而熔融，从而熔蚀所述高熔点金属，

所述第一可熔导体和/或所述第二可熔导体是内层为所述低熔点金属、外层为所述高熔点金属的覆盖构造，并且是除了所述低熔点金属的互相对向的一对侧面之外均被所述高熔点金属覆盖的构造，

所述低熔点金属的熔融温度小于回流温度，

所述第一可熔导体和/或所述第二可熔导体是以比回流温度高的温度且高熔点金属的熔点以下的温度熔断。

2.根据权利要求1所述的切断元件，其中，所述第一可熔导体的截面积比所述第二可熔导体的截面积小。

3.根据权利要求1所述的切断元件，其中，所述第一可熔导体的长度比所述第二可熔导体的长度长。

4.根据权利要求1所述的切断元件，其中，所述第一可熔导体的熔点比所述第二可熔导体的熔点低。

5.根据权利要求1所述的切断元件，其中，

在所述绝缘基板的形成有所述第一～第五电极的面的表面具备绝缘层，

所述发热体形成在所述绝缘基板与所述绝缘层之间、或所述绝缘层的内部。

6.根据权利要求1所述的切断元件，其中，所述发热体形成在所述绝缘基板的与所述表面相反侧的面。

7.根据权利要求1所述的切断元件，其中，所述发热体形成在所述绝缘基板的内部。

8.根据权利要求5～7中的任一项所述的切断元件，其中，所述发热体与所述第一和第二电极重叠。

9.根据权利要求8所述的切断元件，其中，所述发热体与所述第四和第五电极重叠。

10.根据权利要求1所述的切断元件，其中，

在所述绝缘基板的形成有所述第一～第五电极的面的表面具备绝缘层，

所述发热体形成在所述绝缘基板与所述绝缘层之间，且与所述第一和第二电极、以及所述第四和第五电极排列形成。

11.根据权利要求1、5～7中的任一项所述的切断元件，其中，所述第一可熔导体和/或所述第二可熔导体是以Sn为主要成分的无铅焊料。

12.根据权利要求1所述的切断元件，其中，

所述低熔点金属是焊料，

所述高熔点金属是Ag、Cu、或者以Ag或Cu为主要成分的合金。

13.根据权利要求1所述的切断元件，其中，所述第一可熔导体和/或所述第二可熔导体是内层为高熔点金属、外层为低熔点金属的覆盖构造。

14.根据权利要求1所述的切断元件，其中，所述第一可熔导体和/或所述第二可熔导体是低熔点金属与高熔点金属层叠的层积构造。

15.根据权利要求1所述的切断元件，其中，所述第一可熔导体和/或所述第二可熔导体是低熔点金属与高熔点金属交替层叠的4层以上的多层构造。