[发明专利]一种功率开关管的驱动电路以及电源系统有效
| 申请号: | 201911364409.0 | 申请日: | 2019-12-26 |
| 公开(公告)号: | CN113054828B | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
| 发明(设计)人: | 张长洪 | 申请(专利权)人: | 圣邦微电子(北京)股份有限公司 |
| 主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08;H02M1/32;H03K17/042 |
| 代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;冯丽欣 |
| 地址: | 100089 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 功率 开关 驱动 电路 以及 电源 系统 | ||
1.一种功率开关管的驱动电路,所述驱动电路用于根据接收到的开关控制信号驱动所述功率开关管,其中,所述驱动电路包括:
可变阻抗输出通道,用于根据所述开关控制信号生成第一驱动信号;
恒定阻抗输出通道,用于根据所述开关控制信号生成第二驱动信号;以及
过冲抑制模块,包括第四晶体管和一电容,所述第四晶体管具有与所述功率开关管的控制端连接以接收振铃信号的第一端,受控于所述开关控制信号的控制端,以及与所述电容的第一极板连接的第二端,所述电容的第二极板与所述可变阻抗输出通道的控制端连接,
其中,所述第四晶体管配置为在所述开关控制信号无效时导通,通过所述电容的高频耦合控制所述可变阻抗输出通道的输出阻抗增大。
2.根据权利要求1所述的驱动电路,其特征在于,当所述开关控制信号为表征所述功率开关管导通的有效时,所述过冲抑制模块不工作,
当所述开关控制信号为表征所述功率开关管关断的无效时,所述过冲抑制模块开始工作。
3.根据权利要求2所述的驱动电路,其特征在于,所述可变阻抗输出通道包括第一至第三晶体管,
其中,第一晶体管和第二晶体管依次串联连接于内部基准电压和地之间,
所述第一晶体管和第二晶体管的控制端受控于所述开关控制信号,
第三晶体管的第一端用于向所述功率开关管的控制端提供所述第一驱动信号,第二端接地,
所述第三晶体管的控制端与所述第一晶体管和所述第二晶体管的中间节点连接,
其中,所述过冲抑制模块根据所述振铃信号通过控制所述第三晶体管的控制端电压使得所述第三晶体管的输出阻抗增大。
4.根据权利要求1所述的驱动电路,其特征在于,所述过冲抑制模块还包括一反相器,其具有用于接收所述开关控制信号的输入端、以及与所述第四晶体管的控制端连接的输出端。
5.根据权利要求3所述的驱动电路,其特征在于,所述第一晶体管选自P型MOSFET,所述第二晶体管、所述第三晶体管以及所述第四晶体管分别选自N型MOSFET。
6.根据权利要求1所述的驱动电路,其特征在于,所述恒定阻抗输出通道包括第五至第七晶体管,
其中,第五晶体管和第六晶体管依次串联连接于内部基准电压和地之间,
所述第五晶体管和第六晶体管的控制端受控于所述开关控制信号,
第七晶体管的第一端用于向所述功率开关管的控制端提供所述第二驱动信号,第二端接地,
所述第七晶体管的控制端与所述第五晶体管和所述第六晶体管的中间节点连接。
7.根据权利要求6所述的驱动电路,其特征在于,所述第五晶体管选自P型MOSFET,所述第六晶体管和所述第七晶体管选自N型MOSFET。
8.一种电源系统,其特征在于,包括权利要求1-7任一项所述的功率开关管的驱动电路。
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H02M1-00 变换装置的零部件
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H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置





