[发明专利]一种直流有刷马达驱动的过流保护方法

权利要求书

1.一种直流有刷马达驱动的过流保护方法，其特征在于，包括以下步骤，步骤1，在直流有刷马达的H桥驱动电路中对所述H桥的四个开关管均进行过流监测，所述四个开关管中一旦其中任何一个出现过流就全部关闭所述四个开关管；步骤2，对来自马达绕组线圈的回馈电流进行监测，所述回馈电流是指所述马达绕组线圈中电流衰减而流回到所述H桥驱动电路电源电压端的电流；步骤3，当监测到所述回馈电流没有衰减到0，则判断马达存在刹车力矩使得负载不会发生失控，当监测到所述回馈电流衰减到0，则开启所述H桥的两个低边开关管使得所述马达绕组线圈通路闭合，以便即使在负载出现下落运动时马达闭合线圈通过切割磁感线产生反向涡流，进而产生反向刹车力矩来抑制负载的失控运动；

所述H桥驱动电路的四个开关管为设置在H桥高边的第一PMOS管和第二PMOS管，以及设置在H桥低边的第三NMOS管和第四NMOS管，所述第一PMOS管和所述第三NMOS管漏极互连形成第一节点，所述第二PMOS管和所述第四NMOS管漏极互连形成第二节点，所述第一节点依次通过负载电感和负载电阻连接所述第二节点，所述负载电感为马达绕组线圈；

所述第一PMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极均连接第二控制信号端，所述第二PMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极均连接第一控制信号端。

2.根据权利要求1所述的直流有刷马达驱动的过流保护方法，其特征在于，所述第一节点与所述第一PMOS管的漏极之间设置有第一电流采样单元，所述第二节点与所述第二PMOS管的漏极之间设置有第二电流采样单元。

3.根据权利要求1所述的直流有刷马达驱动的过流保护方法，其特征在于，所述第一节点与所述第三NMOS管的漏极之间设置有第三电流采样单元，所述第二节点与所述第四NMOS管的漏极之间设置有第四电流采样单元。

4.根据权利要求1所述的直流有刷马达驱动的过流保护方法，其特征在于，所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极均连接电源电压端。

5.根据权利要求1所述的直流有刷马达驱动的过流保护方法，其特征在于，所述第三NMOS管的源极和所述第四NMOS管的源极均连接接地端。