[发明专利]一种宽高频抗EMI用锰锌铁氧体材料及其制备方法

说明书

本发明公开了一种宽高频抗EMI用锰锌铁氧体材料，它包括主成分和辅助成分，所述主成分含量以氧化物重量百分百计为：Fe₂O₃为46.0～49.5mol％、ZnO为20.0～25.0mol％、其余为MnO，辅助成分含量按主成分总重量的百分比计为：CaO 200～600ppm、CuO 300～800ppm、Co₂O₃3000～10000ppm、SiO₂20～100ppm或NiO 100～400ppm；解决了现有技术锰锌铁氧体材料其阻带不够宽导致，导致生成的抗EMI滤波器(EMIF)宽高频阻抗特性差等技术问题。

技术领域

本发明属于氧体材料技术领域，尤其涉及一种宽高频抗EMI用锰锌铁氧体材料及其制备方法。

背景技术

随着信息高速公路、卫星通信、移动通信、计算机应用等的高速发展，电磁干扰(EMI)问题也日益突出,电磁环境愈益恶化,电磁干扰(EMI)在军事和民用电子信息领域的影响越来越严重，对公共环境和人身安全以及军事保密、安全造成了很大的危害；滤波技术是目前抑制电磁干扰最有效也最经济的手段。而其运用方法也非常简单,在电气设备电源线的入口处插入抗EMI滤波器(EMIF),滤波器将通过电源线传导的电磁干扰给予充分的抑制,换言之,它既能抑制电气设备内部产生的电磁干扰,又能抑制外界电网传入的电磁干扰。由于EMIF应用范围广泛,其与传统滤波器相比有其特殊性。是要求EMIF有尽可能宽的阻带,即除工频(50～400Hz)以外都可视为有害的干扰频率。作为抗EMI滤波器，要求衰减速度快，频带范围宽，同时应保证工作频率范围内信号不失真，能适应各种环境使用；而作为滤波器主要组成部分的锰锌铁氧体材料，现有技术制备的锰锌铁氧体材料其阻带不够宽导致，导致生成的抗EMI滤波器(EMIF)宽高频阻抗特性差。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：提供一种宽高频抗EMI用锰锌铁氧体材料及其制备方法，以解决现有技术锰锌铁氧体材料其阻带不够宽导致，导致生成的抗EMI滤波器(EMIF)宽高频阻抗特性差等技术问题。

本发明的技术方案是：

一种宽高频抗EMI用锰锌铁氧体材料，它包括主成分和辅助成分，所述主成分含量以氧化物重量百分百计为：Fe₂O₃为46.0～49.5mol％、ZnO为20.0～25.0mol％、其余为MnO，辅助成分含量按主成分总重量的百分比计为：CaO 200～600ppm、CuO 300～800ppm、Co₂O₃3000～10000ppm、SiO₂20～100ppm或NiO 100～400ppm。

辅助成分含量按主成分总重量的百分比计为：CaO 200～600ppm、CuO 300～800ppm、Co₂O₃3000～10000ppm、SiO₂20～100ppm和NiO100～400ppm中的一种以上混合物。

所述的一种宽高频抗EMI用锰锌铁氧体材料的制备方法，它包括：

(1)配料混合：按照所述原料主成分配比称重，将各原料投入V形混料器干式强混，混料时间为1～2小时；

(2)振磨处理：混合处理后的材料采用振磨机振磨，振磨时间为0.5～1小时；

(3)预烧：对振磨处理后的粉料在空气窑中进行预烧，温度为800～1000℃，时间为2～5小时；

(4)砂磨：预烧后的粉料，加入按比例称取的辅助成分用循环式砂磨机砂磨砂磨3～5小时，使粒径D50为1.1～1.5μm之间；

(5)喷雾造粒：用喷雾造粒机造粒，造粒时，入口温度控制在280～320℃之，出口温度为100～120℃；