[发明专利]一种提高半夏有效成分的栽培方法

权利要求书

1.一种提高半夏有效成分的栽培方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、选取生长年份为2~3年，有效成分高于国家药典标准的，横径粗4~8cm、生长健壮、无病虫害的半夏块茎，然后将选取的半夏块茎置于RF冷等离子体处理设备中进行预处理，在预处理的同时进行特定频率的微波处理，处理4~6s后，取出半夏块茎备用；

S2、将步骤S1中预处理后的半夏块茎置于恒温催芽箱内，进行恒温催芽处理；

S3、待步骤S2中的半夏块茎发芽，茎芽高度长至3~4cm时，取茎尖进行组织培养，获得半夏无毒苗，在组织培养的同时进行间歇式微波处理；

S4、待步骤S3中的半夏无毒苗高度长至5~6cm时，取出半夏无毒苗，将其移栽到花盆中进行炼苗，待炼苗后的半夏苗高度长至8~10cm后，将半夏苗移栽到温室内进行培养即可。

2.根据权利要求1所述一种提高半夏有效成分的栽培方法，其特征在于，步骤S1中所述的预处理时冷等离子体的处理功率为200~300W，气体流量为3~4L/min，微波的处理功率为100~160W。

3.根据权利要求1所述一种提高半夏有效成分的栽培方法，其特征在于，步骤S2中所述的恒温催芽处理时保持恒温箱内的温度为25~29℃，恒温箱内的相对空气湿度为82~86%。

4.根据权利要求1所述一种提高半夏有效成分的栽培方法，其特征在于，步骤S3中所述的组织培养的条件为：培养温度为23~27℃，光周期为光照18~20h，黑暗4~6h。

5.根据权利要求1所述一种提高半夏有效成分的栽培方法，其特征在于，步骤S3中所述的间歇式微波处理的具体操作为：在组织培养的过程中每隔2~3天进行一次微波处理，每次处理的时间段为18:00~20:00，每次处理的时长为10~15min。

6.根据权利要求1所述一种提高半夏有效成分的栽培方法，其特征在于，步骤S4中所述的炼苗的条件为：炼苗的环境温度为20~30℃，炼苗的环境相对空气湿度为45~65%。

7.根据权利要求1所述一种提高半夏有效成分的栽培方法，其特征在于，步骤S4中所述的温室培养时半夏苗的行距为40~50cm，株距为25~35cm。