[发明专利]一种取电整流与保护电路

说明书

本发明的一种取电整流与保护电路，可解决现有的整流和保护电路存在整流桥损耗较大，效率较低的技术问题。本发明基于设备互感器，包括所述电路包括双向瞬态抑制保护二极管VD1和VD2、肖特基二极管整流电路、高效率整流辅助电路、电解电容C1、电压比较器U1及控制电路；所述双向瞬态抑制保护二极管VD1，VD2分别于互感器两端AC_L，AC_N相连，而另一端接地；本发明高效率取电整流与保护电路，与传统配网设备相比，可以大大增加取电效率，结果大为简化，体积显著减小，保护速度投入极快，发热量较小。

技术领域

本发明涉及配网自动化技术领域，具体涉及一种取电整流与保护电路。

背景技术

在配电自动化技术中，配网设备往往都会涉及到线路电流精准测量及高速录波，从而可以快速定位故障区段，从而缩短线路故障的响应和处理时间，提高供电可靠性。

此类设备为满足多年的使用寿命的技术要求，必然需要使用外部电源来降低自身后备电源的消耗，最广泛的应用是使用互感器从电力线上进行取电来满足运行需要，但电力线上为交流电，所以设备中就会应用整流电路及方法。

同时，为进一步提高后备电源的使用寿命，就要求能够在很低电流或互感器取电能力较弱时，设备都可以从线路上取到足够的能量，这就需要提高取电整流部分的效率。再次，因为电力线上会存在电流突变以及负荷波动，互感器取到的能量会忽大忽小，这就需要我们采取相应的保护措施来确保设备安全。

传统的取电整流及保护的做法是整流为全桥整流，保护则使用开关控制负载，如功率电阻的投切进系统中来泄放掉多余的能量，这种做法会存在整流桥损耗较大，效率较低，对能量的利用率不是很高；而保护系统存在响应时间较慢，发热较大，体积较大等问题。

发明内容

本发明提出的一种取电整流与保护电路,可解决现有的整流和保护电路存在整流桥损耗较大，效率较低的技术问题。

为实现上述目的，本发明采用了以下技术方案：

一种取电整流与保护电路，基于设备互感器，包括所述电路包括双向瞬态抑制保护二极管VD1和VD2、肖特基二极管整流电路、整流辅助电路、电解电容C1、电压比较器U1及控制电路；

所述双向瞬态抑制保护二极管VD1，VD2分别于互感器两端AC_L，AC_N相连，而另一端接地；

所述肖特基二极管整流电路包括肖特基整流二极管D1，肖特基整流二极管D2，肖特基整流二极管D3，肖特基整流二极管D4组成；其中，肖特基整流二极管D2正极与所述互感器AC_L端互联；肖特基整流二极管D3正极与所述互感器AC_N端互联；肖特基整流二极管D2负极与肖特基整流二极管D3的负极相连，并连接至电解电容C1的正极；肖特基整流二极管D1负极与所述互感器AC_L端互联；肖特基整流二极管D4与肖特基整流二极管D3正极相连；肖特基整流二极管D1与肖特基整流二极管D4互联，并连接至参考地；

所述整流辅助电路包括N型金属氧化物半导体Q1A，N型金属氧化物半导体Q1B，肖特基二极管D5，肖特基二极管D6，薄膜电阻R1，薄膜电阻R2；

其中，N型金属氧化物半导体Q1A的漏极与所述肖特基整流二极管D1的阴极相连，N型金属氧化物半导体Q1A的源极与参考地相连，N型金属氧化物半导体Q1A的栅极与薄膜电阻R1一端相连，薄膜电阻R1另一端与参考地相连；N型金属氧化物半导体Q1B的漏极与所述肖特基整流二极管D4的阴极相连，N型金属氧化物半导体Q1B的源极与参考地相连，N型金属氧化物半导体Q1B的栅极与薄膜电阻R2一端相连，薄膜电阻R2另一端与参考地相连；肖特基二极管D5的正极与前面所述肖特基整流二极管D4的负极相连，肖特基二极管D5的负极与N型金属氧化物半导体Q1A的栅极相连；肖特基二极管D6的正极与前面所述肖特基整流二极管D1的负极相连，肖特基二极管D6的负极与N型金属氧化物半导体Q1B的栅极相连；