[发明专利]一种耐高压低钴三元正极材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201911302121.0 申请日: 2019-12-17
公开(公告)号: CN112993239A 公开(公告)日: 2021-06-18
发明(设计)人: 高智;黄佳佳;沙金;周玉林;吴垚震;金铭;凌仕刚;朱卫泉 申请(专利权)人: 天津国安盟固利新材料科技股份有限公司
主分类号: H01M4/505 分类号: H01M4/505;H01M4/525;H01M10/0525
代理公司: 北京康思博达知识产权代理事务所(普通合伙) 11426 代理人: 刘冬梅;范国锋
地址: 301802 *** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 压低 三元 正极 材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种耐高电压低钴三元正极材料,其特征在于,所述正极材料由含镍、钴、锰的前驱体、锂源和含D元素的添加剂制得,D元素选自金属元素中的一种或几种。

2.根据权利要求1所述的耐高压低钴三元正极材料,其特征在于,

所述锂源为含锂化合物,优选选自含锂的碳酸盐、有机盐、氧化物和氢氧化物中的一种或几种;更优选选自含锂的碳酸盐和氧化物中的一种或几种。

3.根据权利要求1所述的耐高压低钴三元正极材料,其特征在于,

所述含D元素的添加剂选自含D的氧化物、碳酸盐、有机盐、或氢氧化物中的一种或几种;优选为含D的氧化物和碳酸盐中的一种或几种;更优选为含B的氧化物;

所述D元素选自副族元素中的一种或几种,优选为稀土元素、Y、W和Mo中的一种或多种,更优选为Nd、Y、W和Mo中的一种或多种;

所述含镍、钴、锰的前驱体优选为低钴含量的前驱体,更优选为具有经验式(Ni0.5Co0.1Mn0.4)(OH)2的前驱体、锂源中锂与含D元素的添加剂中D的摩尔比为1:(1.0~1.1):(0.00005~0.001);优选为1:(1.02-1.08):(0.00008~0.0008)。

4.根据权利要求1至3之一所述的耐高压低钴三元正极材料,其特征在于,

所述耐高压低钴三元正极材料呈类球形,其在55℃/4.6V,1C条件下50周循环容量保持率较高;

所述耐高压低钴三元正极材料可应用于高电压环境下。

5.一种制备权利要求1至4之一所述的耐高压低钴三元正极材料的方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤1、对含镍、钴、锰的前驱体预处理;

步骤2、将预处理的前驱体、锂源和含D元素的添加剂混合;

步骤3、将步骤2中的混合物进行烧结;

步骤4、后处理。

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,步骤1中,

所述对含镍、钴、锰的前驱体的预处理包括粉碎和过筛;

优选地,所述粉碎为机械粉碎,更优选地,所述粉碎优选为在粉碎机中进行;

对粉碎后的材料过筛,优选过100~300目筛,更优选为过150~200目筛。

7.根据权利要求5或6所述的方法,其特征在于,步骤2中,

将称量好的前驱体、锂源和含D元素的添加剂进行充分混合,优选地,所述混合为机械混合,更优选地,所述混合在小型高混机中进行。

8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤3中,

将混合好的物料在马弗炉中进行烧结,所述烧结分三段进行,分为低温、中高温和高温;

所述低温烧结温度为300~700℃,烧结时间为1~10h;

所述中高温烧结温度为750~900℃;

所述高温烧结温度为850~1000℃。

9.根据权利要求5至8之一所述的方法,其特征在于,步骤4中,

待步骤3中的烧结产物冷却至室温后,再进行后处理,优选地,所述冷却为自然冷却;

所述后处理包括粉碎和过筛,优选过100~500目筛,更优选为过200~300目筛。

10.一种根据权利要求5至9之一所述的方法制得的耐高压低钴三元正极材料。

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