[发明专利]一种用于大壁厚陶瓷基复合材料零件CVI致密化方法有效

专利信息
申请号: 201911285046.1 申请日: 2019-12-13
公开(公告)号: CN111170751B 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 杨云云;卜石;陈旭;马渊;赵兵兵;李建章;成来飞 申请(专利权)人: 西安鑫垚陶瓷复合材料有限公司
主分类号: C04B35/80 分类号: C04B35/80;C04B35/81;C04B35/84;C04B35/565
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 史晓丽
地址: 710117 陕西省*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 大壁厚 陶瓷 复合材料 零件 cvi 致密 方法
【权利要求书】:

1.一种用于大壁厚陶瓷基复合材料零件CVI致密化方法,其特征在于,所述大壁厚陶瓷基复合材料零件是指壁厚≥6mm的陶瓷基复合材料零件,包括以下步骤:

1)对陶瓷基复合材料零件进行CVI沉积,待零件密度达到1.55-1.70g/cm3后出炉,对零件进行粗加工,并在零件厚度方向开直径为1-2mm的导流孔,所述导流孔为通孔,导流孔间距为10-25mm,布满零件厚度方向;

2)导流孔开好后,继续对所述零件进行CVI沉积,沉积110-140小时出炉,对零件表面进行打磨,去除零件表面沉积的碳化硅硬质层,且零件表面不露出纤维,然后将步骤1)中的导流孔钻透;

3)重复步骤2),待零件密度达到1.80-1.90g/cm3后,使用沉碳后的碳纤维封堵步骤2)中被钻透的导流孔,使导流孔内碳纤维密度≥90%,并保证碳纤维伸出零件表面2-10mm;

4)导流孔封堵后,继续对所述零件进行CVI沉积,沉积至导流孔内碳纤维间隙中填充足量碳化硅后,打磨零件表面纤维与零件表面齐平,采用晶须封堵导流孔;

5)继续对所述零件进行CVI沉积,沉积110-140小时出炉,对零件表面进行打磨,去除零件表面沉积的碳化硅硬质层,且零件表面不露出纤维,同时采用晶须封堵导流孔凹陷位置;

6)重复步骤5),直至零件表面齐平,且零件密度达到1.90-2.0g/cm3

2.根据权利要求1所述的一种用于大壁厚陶瓷基复合材料零件CVI致密化方法,其特征在于:

步骤1)在所述零件厚度方向开直径为1.5mm的导流孔,导流孔间距为15-18mm。

3.根据权利要求1所述的一种用于大壁厚陶瓷基复合材料零件CVI致密化方法,其特征在于:

步骤3)所述碳纤维伸出零件表面3-5mm。

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