[发明专利]一种超小型石英晶片的腐蚀刻蚀方法

权利要求书

1.一种超小型石英晶片的腐蚀刻蚀方法，其特征是包括如下步骤：

1）大片石英晶片加工；

2）Mesa区域镀膜；

3）Mesa区域腐蚀刻蚀；

4）尺寸镀膜；

5）尺寸腐蚀刻蚀；

6）超小型石英晶片去金。

2.根据权利要求1所述的一种超小型石英晶片的腐蚀刻蚀方法，其特征是所述步骤1）具体包括：根据所需超小型石英晶片的频率，利用线切割工艺加工同频率的方形大片石英晶片。

3.根据权利要求1所述的一种超小型石英晶片的腐蚀刻蚀方法，其特征是所述步骤2）具体包括：在经过步骤1）加工后的洁净的大片石英晶片上等距离地选取矩形的镀膜区域，使镀膜区域均匀分布在大片石英晶片的上表面，进行Mesa镀膜，形成Mesa镀膜区域阵列。

4.根据权利要求1所述的一种超小型石英晶片的腐蚀刻蚀方法，其特征是所述步骤3）具体包括：

将经过步骤2）Mesa区域镀膜后的大片石英晶片放入氟化氢腐蚀液中进行腐蚀刻蚀，将大片石英晶片平面上除Mesa镀膜区域外的部分均匀腐蚀减薄8～10um。

5.根据权利要求1所述的一种超小型石英晶片的腐蚀刻蚀方法，其特征是所述步骤4）具体包括：

将经过步骤3）Mesa区域腐蚀刻蚀后的大片石英晶片超声洗净烘干后，根据所需超小型石英晶片的外形，在每个Mesa镀膜区域的上表面进行尺寸镀膜，形成晶片外形尺寸镀膜阵列，其中Mesa镀膜区域与对应的尺寸镀膜区域的中心重合。

6.根据权利要求1所述的一种超小型石英晶片的腐蚀刻蚀方法，其特征是所述步骤5）具体包括：将经过步骤4）尺寸镀膜后的大片石英晶片放入氟化氢腐蚀液中进行尺寸腐蚀刻蚀，深度腐蚀后去除尺寸镀膜区域外部的石英晶片，只保留尺寸镀膜区域的石英晶片，从而得到数片单片超小型石英晶片。

7.根据权利要求1所述的一种超小型石英晶片的腐蚀刻蚀方法，其特征是所述步骤6）具体包括：将步骤5）得到的单片超小型石英晶片放入王水中，去除表面金质的尺寸镀膜，得到白片超小型石英晶片。