[发明专利]一种大密钥空间的超宽带混沌激光器芯片有效
| 申请号： | 201911243200.9 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN111129949B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 王安帮;李青天;郭园园;贾志伟;王龙生;王云才 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/12;H01S5/125;H01S5/042;H01S5/00;H04B10/70 |
| 代理公司： | 太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14110 | 代理人： | 赵江艳 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 密钥 空间 宽带 混沌 激光器 芯片 | ||
1.一种大密钥空间的超宽带混沌激光器芯片，其特征在于，包括：
芯片衬底（1-9）；
制作于所述芯片衬底（1-9）上的下波导层（1-8）；
制作于所述下波导层（1-8）上的下限制层（1-7）；
制作于所述下限制层（1-7）上的有源层（1-6），所述有源层（1-6）包括依次排列的DFB区、第一相位区、DBR光栅区、SOA区、第二相位区和无源波导区；
制作于所述有源层（1-6）上的上限制层（1-5），所述上限制层（1-5）中与所述DFB区和DBR光栅区对应的位置分别制作有分布反馈Bragg光栅（1-51）和DBR反馈光栅；
制作于所述上限制层（1-5）上的上波导层（1-4）；
制作于所述上波导层上的P接触层；
制作于所述P接触层上的P电极层（1-1），所述P电极层（1-1）上设置有隔离沟（1-2），所述隔离沟（1-2）将所述P电极层（1-1）隔离成分别对应于所述DFB区、第一相位区、DBR光栅区、SOA区和第二相位区的电极；
制作于所述芯片衬底的第二表面的N电极层。
2.根据权利要求1所述的一种大密钥空间的超宽带混沌激光器芯片，其特征在于，所述上限制层（1-5）中的分布反馈Bragg光栅（1-51）的材料为InP，DBR反馈光栅的材料可为SiO2/TiO2，所述有源层（1-6）中的SOA区为InGaAs材料和/或InGaAsP材料的多量子阱结构，所述有源层（1-6）中的DFB区和DBR光栅区的材料为InGaAsP材料，所述有源层（1-6）中的第一相位区和第二相位区的材料为无源波导材料。
3.根据权利要求1所述的一种大密钥空间的超宽带混沌激光器芯片，其特征在于，所述第一相位区和第二相位区的注入电流IP1和 IP2中引入相位调制编码信号。
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