[发明专利]两线制低照度光敏传感器结构

权利要求书

1.两线制低照度光敏传感器结构，其特征在于，包含有，

光电二极管，其用于感测其所处环境的光照情况并且根据所述光照情况输出对应的二极管电流；

V转换器，其用于接收来自所述光电二极管的所述二极管电流并且根据所述二极管电路输出对应的转换电压；以及，

V-I转换器，其用于接收来自所述I-V转换器的转换电压并且根据所述转换电压输出对应的转换电流。

2.根据权利要求1所述的两线制低照度光敏传感器结构，其特征在于，由恒压电源U1、运算放大器U2、运算放大器U3、电容C1、电容C2、电容C3、电阻R3、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、三极管Q1组成，光电二极管的负端分别接运算放大器U2的反相输入端、电阻R7的第一端及电容C2的第一端，电阻R4的第一端分别接电阻R7的第二端、电容C2的第二端及运算放大器U2的输出端，电阻R4的第二端分别接电阻R3的第二端、电阻R6的第一端及运算放大器U3的同相输入端，运算放大器U3的输出端接电阻R5的第一端，电阻R5的第二端接三极管Q1的基极，电阻R6的第二端接电阻R8的第二端，三极管Q1的集电极接恒压电源U1的IN端，恒压电源U1的OUT端分别接电容C1的第一端、电阻R3的第一端、电容C3的第一端、运算放大器U2的正电源端及运算放大器U3的正电源端，光电二极管的正端、运算放大器U2的同相输入端、电容C3的第二端、运算放大器U3的反相输入端、运算放大器U3的负电源端、电容C1的第二端、电阻R8的第一端、三极管Q1的发射极接地。