[发明专利]设置有插入结构与温补层的体声波谐振器、滤波器和电子设备

权利要求书

1.一种体声波谐振器，包括：

基底；

声学镜；

底电极；

顶电极；

压电层；

温补层，

其中：

声学镜、底电极、压电层、顶电极在基底的厚度方向重叠的区域为谐振器的有效区域；

所述压电层中设置有沿所述有效区域的边缘布置的复合插入结构，所述复合插入结构包括第一插入层和第二插入层，在所述谐振器的俯视图中，所述第一插入层的至少一部分与所述有效区域重叠，且在所述谐振器的俯视图中，所述第一插入层与所述第二插入层至少部分重叠，所述第一插入层为金属材料且所述第二插入层为空气或介质材料，或者所述第一插入层为介质材料且所述第二插入层为空气；且

在所述谐振器的俯视图中，所述温补层的至少一部分位于所述有效区域内，且所述温补层的材料为与压电层频率温度系数相反的材料。

2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

在所述谐振器的俯视图中，所述温补层在横向方向上与复合插入结构不重叠。

3.根据权利要求2所述的谐振器，其中：

在所述谐振器的俯视图中，所述温补层在横向方向上位于复合插入结构之间。

4.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

在所述谐振器的俯视图中，所述温补层在横向方向上与复合插入结构存在重叠部分。

5.根据权利要求4所述的谐振器，其中：

在所述谐振器的俯视图中，所述温补层在横向方向上位于复合插入结构的对应的第一插入层之间或者对应的第二插入层之间。

6.根据权利要求4所述的谐振器，其中：

在所述谐振器的俯视图中，所述温补层在横向方向上的两端均与复合插入结构的第一插入层和第二插入层重叠。

7.根据权利要求4所述的谐振器，其中：

在所述谐振器的俯视图中，所述温补层至少一个端部在横向方向上位于复合插入结构的外侧。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的谐振器，其中：

所述温补层位于底电极中，或者压电层中，或者顶电极中，或者底电极下侧，或者顶电极上侧，或者底电极与压电层之间，或者顶电极与压电层之间。

9.根据权利要求1-7中任一项所述的谐振器，其中：

所述温补层位于底电极或者顶电极中；且

所述谐振器还包括设置在所述温补层下方的截止层。

10.根据权利要求1-7中任一项所述的谐振器，其中：

所述温补层位于底电极中，所述谐振器还包括设置在所述温补层下方的截止层，以及设置在温补层上方包覆温补层的钝化层，在平行于谐振器的厚度方向的一个截面中，所述钝化层与所述截止层围住所述温补层；或者

所述温补层位于压电层中，所述谐振器还包括设置在所述温补层下方的截止层、设置在温补层上方包覆温补层的钝化层、包覆金属层，在平行于谐振器的厚度方向的一个截面中，所述钝化层与所述截止层围住所述温补层，所述包覆金属层包覆所述钝化层与所述截止层。

11.根据权利要求1-7中任一项所述的谐振器，其中：

所述压电层包括第一压电层与位于第一压电层下方的第二压电层，所述复合插入结构位于第一压电层与第二压电层之间；且

所述温补层位于第二压电层中，或者位于第一压电层与第二压电层之间，或者位于第一压电层中。

12.根据权利要求1-11中任一项所述的谐振器，其中：

在谐振器的厚度方向上，所述第二插入层的至少一部分位于所述第一插入层的上方。

13.根据权利要求12所述的谐振器，其中：

在平行于所述谐振器的厚度方向的一个截面图中，所述第二插入层覆盖包围所述第一插入层或覆盖所述第一插入层的一部分。