[发明专利]一种简单减少BBO晶体中间包络的方法

说明书

本发明公开了一种简单减少BBO晶体中间包络的方法,采用硼酸、碳酸钡为原料，氟化钠为助熔剂，铂金坩埚和熔盐炉为生长装置，当晶体停止转动时，在晶体表面中间区域射入一束30‑50mW的绿光激光，生长得到晶体中间包络明显减少的晶体毛坯。

技术领域

本发明涉及一种人工晶体生长领域，尤其涉及一种减少BBO晶体中间包络的方法。

背景技术

低温相偏硼酸钡β-BaB2O4是一种非常重要的新型非线性晶体，具有宽的透光范围，大的有效倍频系数，大的双折射率和高的激光损伤阈值，广泛运用于激光倍频，目前还未见有性能更好的材料取代它。

该晶体目前采用顶部籽晶法生长，晶体生长过程采用缓慢降温，靠流体自然对流生长，自然对流熔体中间的对流特别小，生长出来的晶体中间包络严重。

发明内容

本发明采用硼酸、碳酸钡为原料，氟化钠为助熔剂，铂金坩埚和熔盐炉为生长装置，晶体生长前期有转动，熔体对流生长，中间不易形成包络，当晶体生长至锅壁时，籽晶停转，熔体对流降低，这时我们利用激光的强能量，和高穿透等特点，在晶体表面中间区域射入一束30mW-50mW的绿光激光，利用激光与熔体和晶体中原子作用，降低杂质、位错等缺陷在晶体中间的形成。

具体实施方式

实施方式一：

将BBO原料碳酸钡，硼酸，氟化钠按比例混匀利用化料炉熔透，装入坩埚，将坩埚置于熔盐炉中，升温至1100℃，原料达到熔融状态，将熔体温度降至1000℃下籽晶，将固定有BBO籽晶的籽晶杆缓慢下沉至熔体液面，以5转/分的速度旋转籽晶杆，当晶体生长快至坩埚壁时，籽晶杆停止转动，在晶体表面中间区域射入一束30mW的绿光激光，开始1℃/d速率降温，经过5个月，取出晶体，利用绿光照射晶体中间区域检测包络，晶体包络明显减少。