[发明专利]一种钽酸锂晶片黑化装置及其使用方法在审
申请号: | 201911180646.1 | 申请日: | 2019-11-27 |
公开(公告)号: | CN110760934A | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
发明(设计)人: | 李辉;叶竹之;雷晗 | 申请(专利权)人: | 成都泰美克晶体技术有限公司 |
主分类号: | C30B33/00 | 分类号: | C30B33/00;C30B33/02;C30B29/30 |
代理公司: | 51230 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 | 代理人: | 许志辉 |
地址: | 610031 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 治具 晶片放置 盛装管 底板 钽酸锂晶片 环状结构 盖板 内环 通槽 重块 底板水平 黑化装置 交错排列 均匀性 黑化 嵌入 匹配 | ||
1.一种钽酸锂晶片黑化装置,包括盛装管(1),以及放置在盛装管(1)内部的晶片放置装置(2),其特征在于:所述晶片放置装置(2)包括底板(21)、盖板(23)以及设置在两者之间的多个治具(22),所述晶片放置装置(2)通过底板(21)水平放置在盛装管(1)内部,所述治具(22)为环状结构并且在其环状结构的两个端面均开设有通槽(2201),多个治具(22)重叠水平放置在底板(21)上,且相邻治具(22)间的通槽(2201)交错排列,所述盖板(23)靠近治具(22)的一侧还设置有重块(24),所述重块(24)与治具(22)内环匹配能够嵌入治具(22)内环。
2.根据权利要求1所述的一种钽酸锂晶片黑化装置,其特征在于:所述治具(22)的上下两个端面均设置有至少2个通槽(2201),且治具(22)上端面的通槽(2201)和下端面的通槽(2201)一一对应。
3.根据权利要求1所述的一种钽酸锂晶片黑化装置,其特征在于:所述治具(22)的两端面均为平面结构。
4.根据权利要求1所述的一种钽酸锂晶片黑化装置,其特征在于:所述底板(21)为矩形平面板。
5.根据权利要求1所述的一种钽酸锂晶片黑化装置,其特征在于:所述治具(22)采用不锈钢材料制作。
6.根据权利要求1所述的一种钽酸锂晶片黑化装置,其特征在于:所述盛装管(1)两端的端面还设置有与管口匹配的隔热垫(3)。
7.根据权利要求6所述的一种钽酸锂晶片黑化装置,其特征在于:所述盛装管(1)的内壁还设置有鳍片(11)。
8.根据权利要求7所述的一种钽酸锂晶片黑化装置,其特征在于:所述鳍片(11)为螺旋状,且延伸至盛装管(1)的两端。
9.一种钽酸锂晶片黑化装置的使用方法,包括权利要求1-8任意一项所述的钽酸锂晶片黑化装置,其特征在于,还包括以下使用步骤:
S1,在底板(21)上放置一个治具(22),在治具(22)内加入固定质量比的还原剂粉末刮平后压实;
S2,将钽酸锂晶片放在治具(22)内压实后的还原剂粉末上;
S3,再加入固定质量比的还原剂粉末覆盖钽酸锂晶片后,刮平后压实;
S4,重复步骤S1-S3,在治具(22)上叠放多个治具(22)和钽酸锂晶片;
S5,在最上端的治具(22)内环嵌入有重块(24),并在重块(24)上盖有盖板(23),加固压实还原剂粉末;
S6,将整个晶片放置装置(2)放置到盛装管(1)中,充入2-4L/min氮气,在480-550℃的恒温中进行热处理3-10h,待温度自然降到室温,取出钽酸锂晶片即可。
10.根据权利要求9所述的一种钽酸锂晶片黑化装置的使用方法,其特征在于:所述步骤S2中,钽酸锂晶片放置于治具(22)中央。
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