[发明专利]差动比较电路

权利要求书

1.一种差动比较电路，其特征在于，包含：

一差动输入对电路，包含一对输入端以及一对第一连接端；

一主动负载电路，包含一对第二连接端；

一对跨压产生装置，电性耦接于该对第一连接端以及该对第二连接端之间，其中该对跨压产生装置配置以在一重置阶段被电性驱动以在该对第一连接端以及该对第二连接端之间建立一跨压，以及在一操作阶段被电性关闭以成为一短路电路；以及

一对开关，配置以分别在该重置阶段将该对输入端电性耦接于该对第一连接端，以及在该操作阶段使该对输入端不电性耦接于该对第一连接端，以使该对输入端分别接收一信号输入以及一参考输入。

2.根据权利要求1所述的差动比较电路，其特征在于，该对输入端包含在该操作阶段中接收该信号输入的一信号输入端以及在该操作阶段中接收该参考输入的一参考输入端，其中该对第一连接端其中一者为一输出端，另一者为一非输出端。

3.根据权利要求2所述的差动比较电路，其特征在于，在该重置阶段中，该信号输入端的一第一电压准位、该参考输入端的一第二电压准位、该非输出端的一第三电压准位以及该输出端的一第四电压准位被重置到一重置电压准位，其中该重置电压准位大于或等于该对跨压产生装置产生的该跨压以及该主动负载电路建立的一额外跨压的总和。

4.根据权利要求3所述的差动比较电路，其特征在于，在该操作阶段，该信号输入端的该第一电压准位位于一信号输入准位，且该参考输入端的该第二电压准位由该重置电压准位降至该信号输入准位。

5.根据权利要求1所述的差动比较电路，其特征在于，该对跨压产生装置包含一第一跨压产生装置以及一第二跨压产生装置，各包含至少一二极管接法晶体管(diode-connectedtransistor)、至少一电阻、至少一偏压晶体管或其组合。

6.根据权利要求5所述的差动比较电路，其特征在于，各该二极管接法晶体管以及该偏压晶体管为一N型金氧半晶体管或一P型金氧半晶体管。

7.根据权利要求1所述的差动比较电路，其特征在于，该对跨压产生装置形成一电流负载。

8.根据权利要求1所述的差动比较电路，其特征在于，该差动输入对电路包含一对金氧半晶体管，该对金氧半晶体管包含做为该对输入端的二栅极以及做为该对第一连接端的二漏极。

9.根据权利要求8所述的差动比较电路，其特征在于，该对金氧半晶体管为P型金氧半晶体管且该主动负载电路由N型金氧半晶体管形成。

10.根据权利要求8所述的差动比较电路，其特征在于，该对金氧半晶体管为N型金氧半晶体管且该主动负载电路由P型金氧半晶体管形成。

11.根据权利要求1所述的差动比较电路，其特征在于，还包含一对控制开关，分别配置以在该重置阶段不使各该对跨压产生装置的两端相电性耦接，以电性驱动该对跨压产生装置，并在该操作阶段使各该对跨压产生装置的两端相电性耦接，以电性关闭该对跨压产生装置成为一短路电路。