[发明专利]一种TFT-LCD铝蚀刻液

说明书

本发明公开了一种TFT‑LCD铝蚀刻液配方，其特征在于，按照重量份数计算，包括：无机酸60‑70份，无极强酸5‑10份，调节剂10‑15份，缓蚀剂0.1‑1份，络合剂0.1‑1份。本发明的有益效果：该蚀刻液增加了新型酰胺类络合剂络合剂，蚀刻时表面的铝离子化合物有序络合，易冲离表面，不良品率由5%降至2~3%，而且增加了羟基磷酸盐缓蚀剂缓蚀剂，降低侧蚀，使侧蚀由200nm降低至120~150nm。

技术领域

本发明涉及蚀刻液技术领域，具体为一种TFT-LCD铝蚀刻液。

背景技术

传统铝蚀刻液多为磷硝醋体系，但是因蚀刻出的铝离子化合物易在蚀刻表面造成蚀刻现象，蚀刻良率较低，而且传统铝蚀刻液侧蚀较严重，侧蚀达到200nm。

发明内容

本发明的目的在于提供一种TFT-LCD铝蚀刻液，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种TFT-LCD铝蚀刻液配方，按照重量份数计算，包括：

优选的，所述无机酸为60份到70份的磷酸。

优选的，所述无极强酸为5份到10份的硝酸。

优选的，所述调节剂为10份到15份的冰醋酸。

优选的，所述缓蚀剂为0.1份到1份的羟基磷酸盐缓蚀剂。

优选的，所述络合剂为0.1份到1份的新型酰胺类络合剂。

有益效果

该蚀刻液增加了新型酰胺类络合剂络合剂，蚀刻时表面的铝离子化合物有序络合，易冲离表面，不良品率由5％降至2～3％，而且增加了羟基磷酸盐缓蚀剂缓蚀剂，降低侧蚀，使侧蚀由200nm降低至120～150nm。

具体实施方式

以下是本发明的具体实施例，对本发明的技术方案作进一步的描述，但本发明并不限于这些实施例。

实施例1

一种TFT-LCD铝蚀刻液配方，按照重量份数计算，包括：

实施例2

一种TFT-LCD铝蚀刻液配方，按照重量份数计算，包括：

实施例3

一种TFT-LCD铝蚀刻液配方，按照重量份数计算，包括：

实施例4

一种TFT-LCD铝蚀刻液配方，按照重量份数计算，包括：

实施例5

一种TFT-LCD铝蚀刻液配方，按照重量份数计算，包括：

实施例6

一种TFT-LCD铝蚀刻液配方，按照重量份数计算，包括：

最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明性的保护范围之内的发明内容。