[发明专利]一体化微波电路

权利要求书

1.一种一体化微波电路，其特征在于，包括：

射频电路，设置于单层电路板的上表面，所述射频电路用于完成射频信号从光电芯片到所述一体化微波电路的外部的传输；

直流偏置电路，设置于同一所述单层电路板的下表面，所述直流偏置电路用于给所述光电芯片提供偏置电流或电压；以及

中间介质层，设置于所述射频电路和所述直流偏置电路之间，且所述射频电路和所述直流偏置电路中各自的电容、电阻、电感元件均设置于所述电路板内部，形成一体化微波电路。

2.根据权利要求1所述的一体化微波电路，其特征在于，所述射频电路包含：共面波导结构、微带线结构、带状线结构或差分传输线结构。

3.根据权利要求2所述的一体化微波电路，其特征在于，所述共面波导结构、所述微带线结构和所述带状线结构的特征阻抗为50欧姆，所述差分传输线结构的特征阻抗为100欧姆。

4.根据权利要求1或3所述的一体化微波电路，其特征在于，所述射频电路还包含：

第一薄膜电容，所述第一薄膜电容的电容值为pF量级，实现高频信号中的谐振峰右移；

第一薄膜电阻，实现所述射频电路中的阻抗匹配和取出高频信号；和

第一薄膜电感，实现所述射频电路中的寄生参数补偿。

5.根据权利要求4所述的一体化微波电路，其特征在于，所述直流偏置电路包含：

第二薄膜电容，所述第二薄膜电容的电容值为nF量级，实现直流滤波；

第二薄膜电阻，防止电路直流过大；和

第二薄膜电感，用于给光电芯片提供工作电压或者电流。

6.根据权利要求5所述的一体化微波电路，其特征在于，还包括：

金属过孔，用于实现所述射频电路和所述直流偏置电路之间的过渡连接；

侧面金属化结构，用于实现共面波导结构的上下表面的地电极的连接。

7.根据权利要求6所述的一体化微波电路，其特征在于，所述第一薄膜电容和所述第二薄膜电容的结构均为：上电极、介质层和下电极，且所述上电极、所述下电极和所述介质层的表面均呈凹凸结构。

8.根据权利要求7所述的一体化微波电路，其特征在于，所述上电极、所述下电极和所述介质层的接触面互补且相互贴合。

9.根据权利要求8所述的一体化微波电路，其特征在于，所述共面波导结构有多个，每个所述共面波导结构有一个地电极，各个所述共面波导结构的地电极相连。

10.根据权利要求9所述的一体化微波电路，其特征在于，所述中间介质层的材料是AlN材料或Al₂O₃材料。