[发明专利]负电压产生电路在审

专利信息
申请号: 201911153780.2 申请日: 2019-11-22
公开(公告)号: CN111953203A 公开(公告)日: 2020-11-17
发明(设计)人: 赵炳学;白铉;金正勳;金率雅;林钟模 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 沈浩;王秀君
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电压 产生 电路
【说明书】:

本发明提供一种负电压产生电路,所述负电压产生电路包括:时钟产生电路,被配置为产生第一时钟信号;第一电压控制电路,被配置为基于电源电压的大小改变第一电阻值,并且还被配置为基于改变的所述第一电阻值控制第一充电节点处的电压的大小;以及第一电荷泵电路,被配置为在充电模式下基于所述第一时钟信号针对由所述第一电压控制电路控制的电压进行充电,并且还被配置为将通过所述充电步骤产生的第一电压输出为第一负电压。

本申请要求于2019年5月15日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0057119号韩国专利申请的优先权的权益,该韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。

技术领域

本公开涉及一种不具有低压差(LDO)稳压器的负电压产生电路。

背景技术

通常,功率放大器模块(PAM)可包括多个开关、滤波器和功率放大器(PA)以支持各种频带。例如,通过PA放大的信号可通过频带选择开关(BSSW)、滤波器和天线开关模块(ASM)传输到天线。

频带选择开关(BSSW)和天线开关模块(ASM)可包括射频(RF)开关以选择期望的频带。

通常,RF开关可使用负电压VNEG(例如,-VDD)以显著减小由多个路径中的除了接通状态路径之外的断开状态路径导致的影响。例如,负电压VNEG施加到RF开关中的设置在断开状态路径上的开关晶体管的栅极和主体以改善开关特性。因此,为了使用负电压VNEG,可能需要被配置为产生负电压VNEG的负电压发生器。

作为示例,为了产生负电压,典型的负电压发生器可包括产生参考电压的带隙参考(BGR)电路、接收VBAT电压(3V到5V)和参考电压以产生稳定电压(VLDO)(例如,2.5V)的低压差(LDO)稳压器、产生时钟的振荡器(OSC)以及利用时钟执行电容器的充电和放电以产生负电压(-VLDO)(例如,-2.5V)的电荷泵(CP)。

负电压(VNEG)可影响谐波性能和开关的击穿。例如,当负电压(VNEG)太低时,在开关中使用的场效应晶体管(FET)可能被击穿。当负电压(VNEG)太高时,FET可能无法进入截止状态。在这种情况下,可能产生漏电流以使插入损耗性能劣化。

因此,不管电池电压(VBAT)(3V到5V)的变化,负电压(VNEG)应当在设计者期望的预定范围内。作为示例,当电池电压(VBAT)(3V到5V)直接用作电荷泵的输入电压时,可产生-5V到-3V的负电压(VNEG)。由于-5V到-3V的负电压(VNEG)在期望的范围之外,因此利用BGR电路和LDO稳压器来使输入电压保持恒定。

在这样的典型的负电压发生器中,振荡器(OSC)和电荷泵(CP)的物理尺寸可被设计为小尺寸。然而,由于BGR电路和LDO稳压器占据相对大的面积,因此它们可能阻碍负电压发生器的小型化。

发明内容

提供本发明内容以按照简化的形式介绍所选择的构思,并在以下具体实施方式中进一步描述这些构思。本发明内容既不意在明确所要求保护的主题的关键特征或必要特征,也不意在用作帮助确定所要求保护的主题的范围。

在一个总体方面,一种负电压产生电路包括:时钟产生电路,被配置为产生第一时钟信号;第一电压控制电路,被配置为基于电源电压的大小改变第一电阻值,并且还被配置为基于改变的所述第一电阻值控制第一充电节点处的电压的大小;以及第一电荷泵电路,被配置为在充电模式下基于所述第一时钟信号针对由所述第一电压控制电路控制的电压进行充电,并且还被配置为将通过所述充电步骤产生的第一电压输出为第一负电压。

所述第一电压控制电路可包括:第一检测电路,被配置为检测所述电源电压的所述大小并输出第一检测电压;以及第一电压调节电路,被配置为基于所述第一检测电压改变所述第一电阻值,并且还被配置为基于改变的所述第一电阻值调节所述第一充电节点处的所述电压的所述大小。

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