[发明专利]一种可调谐窄线宽激光器

权利要求书

1.一种可调谐窄线宽激光器，其特征在于，包括平面光波导和半导体光放大器，所述平面光波导包括从下至上依次设置的衬底层、下包层、波导芯层、上包层和电极层，其中，所述波导芯层包括依次连接的非对称马赫增德尔干涉仪、第一平行信道单微环谐振滤波器、第二平行信道单微环谐振滤波器、Y型分束器、第一锥形模式转换器、直波导芯层、第二锥形模式转换器和环形反射器，所述直波导芯层上键合有所述半导体光放大器，所述电极层包括位于所述非对称马赫增德尔干涉仪的非对称长臂上面的电极、位于所述第一平行信道单微环谐振滤波器和所述第二平行信道单微环谐振滤波器上面的电极和位于所述环形反射器上面的电极。

2.根据权利要求1所述的可调谐窄线宽激光器，其特征在于，所述半导体光放大器的中间呈条形，两端呈锥形，且其衬底片上具有刻蚀阻挡层。

3.根据权利要求1所述的可调谐窄线宽激光器，其特征在于，所述波导芯层为硅基光波导芯层。

4.根据权利要求1所述的可调谐窄线宽激光器，其特征在于，所述波导芯层中的各个器件为单模矩形波导或单模脊形波导。

5.根据权利要求1所述的可调谐窄线宽激光器，其特征在于，所述衬底层为硅基衬底层，所述下包层为二氧化硅下包层，所述上包层为二氧化硅上包层或苯并环丁烯上包层，所述电极层为金电极层、铝电极层或钛电极层。

6.根据权利要求1所述的可调谐窄线宽激光器，其特征在于，所述第一平行信道单微环谐振滤波器包括第一环形波导、作为上信道的第一直波导和作为下信道的第二直波导，所述第一直波导与所述非对称马赫增德尔干涉仪连接，所述第二直波导与所述Y型分束器的一个输出端口连接。

7.根据权利要求6所述的可调谐窄线宽激光器，其特征在于，所述第二平行信道单微环谐振滤波器包括第二环形波导、作为上信道的第三直波导和作为下信道的第四直波导，所述第三直波导与所述非对称马赫增德尔干涉仪的另一端连接，所述第四直波导与所述Y型分束器的另一个输出端口连接。

8.根据权利要求7所述的可调谐窄线宽激光器，其特征在于，所述第一环形波导和所述第二环形波导为圆环形波导、椭圆环形波导或跑道圆环形波导。

9.根据权利要求1-8任一项所述的可调谐窄线宽激光器，其特征在于，所述环形反射器包括第三环形波导、第四环形波导、第五直波导和第六直波导，其中，所述第三环形波导和所述第五直波导定向耦合，所述第四环形波导和所述第六直波导非定向耦合。

10.根据权利要求9所述的可调谐窄线宽激光器，其特征在于，所述第三环形波导为四分之三圆环形波导、四分之三椭圆环形波导或四分之三跑道圆环形波导；

所述第四环形波导为半圆环加四分之一圆环形波导、半椭圆环加四分之一圆环形波导或半跑道圆环加四分之一圆环形波导。