[发明专利]一种高抑制小型化滤波器

权利要求书

1.一种高抑制小型化滤波器，其特征在于，包括介质基片，所述介质基片的上表面和下表面镀有金属镀层；所述介质基片被分隔成多个谐振腔，多个所述谐振腔连接形成滤波器主耦合通道；其中，至少一对非直接耦合的谐振腔间开设有耦合窗口，所述耦合窗口内的金属镀层上开设回形槽，所述回形槽两端分别延伸至耦合窗口两侧非直接耦合的两个谐振腔内，所述回形槽的长度L≤λ/2，所述回形槽的宽度M≤M’/4，其中，λ为波长，M’为对应的谐振腔的宽度，所述介质基片为多层且层叠布置，相邻的介质基片间镀有金属镀层，所述介质基片夹层中的金属镀层上开设回形槽。

2.根据权利要求1所述的高抑制小型化滤波器，其特征在于，所述回形槽包括未剥离金属镀层的金属区域和围绕所述金属区域的凹槽区域，所述凹槽区域的深度大于或等于所述金属镀层的厚度，以漏出所述介质基片。

3.根据权利要求1所述的高抑制小型化滤波器，其特征在于，所述回形槽设于所述介质基片的上表面和/或下表面。

4.根据权利要求1所述的高抑制小型化滤波器，其特征在于，所述滤波器主耦合通道中首尾两个所述谐振腔分别连接输入端和输出端。

5.根据权利要求2所述的高抑制小型化滤波器，其特征在于，所述凹槽区域和所述金属区域为圆形、多边形或椭圆形。

6.根据权利要求5所述的高抑制小型化滤波器，其特征在于，所述凹槽区域和所述金属区域延所述耦合窗口对称或不对称。

7.一种如权利要求1至6任意一项所述的高抑制小型化滤波器的制作方法，其特征在于，通过激光、光刻胶或机加工方法在剥离所述介质基片上的金属镀层，形成两端延伸至非直接耦合的两个谐振腔内的回形槽，以在所述谐振腔间形成负零点。

8.根据权利要求7所述的高抑制小型化滤波器制作方法，其特征在于，所述滤波器的功能特性包包括带通、带阻、高通、低通以及他们相互之间形成的双工器、合路器、多工器。