[发明专利]一种灵敏放大器、控制方法及Nand Flash

说明书

本发明公开了一种灵敏放大器、控制方法及Nand Flash。所述灵敏放大器包括：锁存模块、控制模块和检测模块；所述检测模块的检测输出端与所述控制模块的控制输入端相连，所述控制模块的控制输出端与锁存模块的锁存控制端相连；所述检测模块，用于检测输入电压信号，并基于所述输入电压信号和检测控制端的控制电压信号，向所述控制输入端输出控制调整信号；控制模块，用于基于所述控制调整信号和控制输入端的第一预充电压，调整控制输出端的第二预充电压，得到锁存控制信号；锁存模块，用于基于所述锁存控制信号，对检测输入电压信号的结果进行锁存。利用该灵敏放大器，能够增加负阈值电压的检测深度，降低由于擦除深度较浅引起的干扰。

技术领域

本发明实施例涉及存储器技术领域，尤其涉及一种灵敏放大器、控制方法及NandFlash。

背景技术

随着科技的发展，NAND Flash存储器得到了广泛的应用。Nand Flash是Flash内存的一种，属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device)，其内部采用非线性宏单元模式，具有容量大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储。

在Nand Flash中，对Nand Flash的擦除以及编程操作均是通过向擦除块或编程页施加相应电压改变存储单元浮动栅极的阈值电压实现的。其中，NAND Flash的擦除操作需要将存储单元的阈值电压擦到0V以下，传统的擦除检测方案在检测阈值电压时，由于检测到的负阈值电压的幅值较小，故很难将存储单元的阈值电压擦得很负。因此，擦除存储单元的阈值电压的最大值通常在0V附近。随着编写和擦除周期的增大，擦除存储单元的阈值电压会漂到编程区域对应的电压，从而引起编程干扰。

发明内容

本发明实施例提供了一种灵敏放大器、控制方法及Nand Flash，以提高灵敏放大器检测负阈值电压的深度。

第一方面，本发明实施例提供了一种灵敏放大器，包括：锁存模块、控制模块和检测模块；

所述检测模块的检测输出端与所述控制模块的控制输入端相连，所述控制模块的控制输出端与锁存模块的锁存控制端相连；

所述检测模块，用于检测输入电压信号，并基于所述输入电压信号和检测控制端的控制电压信号，向所述控制输入端输出控制调整信号；

所述控制模块，用于基于所述控制调整信号和所述控制输入端的第一预充电压，调整所述控制输出端的第二预充电压，得到锁存控制信号；

所述锁存模块，用于基于所述锁存控制信号，对检测所述输入电压信号的结果进行锁存。

可选的，所述控制模块，包括第一开关单元、第二开关单元和耦合单元；

所述第一开关单元的第一端分别与所述第二开关单元的第一端、所述耦合单元的第一端和所述检测输出端相连，所述第二开关单元的第二端分别与所述耦合单元的第二端和所述锁存单元的锁存控制端相连；

所述第一开关单元和所述第二开关单元，用于为所述控制输入端供给第一预充电压，并为所述控制输出端供给第二预充电压；

所述耦合单元，用于基于所述第一预充电压和所述控制调整信号，调整所述第二预充电压，得到锁存控制信号。

可选的，所述控制模块，还包括：第三开关单元，所述第三开关单元的第一端与所述耦合单元的第二端相连，用于为所述控制输出端供给第二预充电压。

可选的，所述耦合单元包括电容。

可选的，所述第一开关单元、所述第二开关单元和所述第三开关单元包括场效应晶体管。

第二方面，本发明实施例还提供了一种控制方法，用于对本发明实施例所述的灵敏放大器进行控制，所述方法包括：

分别将控制模块的控制输入端和控制输出端的电压充电至第一预充电压和第二预充电压；