[发明专利]低Al含量、高强韧性、耐酸腐蚀的高熵合金及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201911141387.1 申请日: 2019-11-20
公开(公告)号: CN110791693B 公开(公告)日: 2021-05-07
发明(设计)人: 冒爱琴;徐子涵;斯宜然;权峰;俞海云;郑翠红 申请(专利权)人: 安徽工业大学
主分类号: C22C30/00 分类号: C22C30/00;C22C1/04;B22F3/14;B22F1/00
代理公司: 合肥顺超知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 34120 代理人: 徐文恭
地址: 243002 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: al 含量 高强 韧性 耐酸 腐蚀 合金 及其 制备 方法
【说明书】:

发明提供一种低Al含量、高强韧性、耐酸腐蚀的高熵合金及其制备方法,涉及高熵合金材料技术领域,该高熵合金的化学组成为AlxCoCrFeMnNi,其中x为Al元素的质量比,取值范围为4.5‑5.5%。本发明以CoCrFeMnNi高熵合金粉体和Al粉为原料,采用粉末冶金法实现了一种富含Cr和Mn元素BCC相可控的具有FCC和BCC双相结构的高熵合金,其中BCC相所占的体积比在11.2‑16.2%之间。本发明制备的高熵合金表现出较高的强度、良好的塑性和耐腐蚀性,而且其制备方法工艺简单、成本较低、实用性强以及便于推广。

技术领域

本发明涉及高熵合金材料技术领域,具体涉及一种低Al含量、高强韧性、耐酸腐蚀的高熵合金及其制备方法。

背景技术

高熵合金(High-entropyAlloys,HEAs)又称多主元合金(MultiprincipalElementAlloys,MEAs),该类新型合金打破传统合金以一种或两种元素为主的合金设计理念,至少包含五种主要元素,每种组成元素的原子百分比在5%~35%之间,且组元之间没有明显的溶质或溶剂之分。高熵合金的多主元所产生的高熵效应、缓慢扩散效应、晶格扭曲效应和鸡尾酒效应有利于形成简单晶体结构,如面心立方(FCC)、体心立方(BCC)或密排六方(HCP)结构的固溶体相。2004年,Cantor教授首次发表了采用电弧熔炼法制备的具有单一FCC结构的CoCrFeMnNi高熵合金,该合金也被称为Cantor合金。到目前为止,国内外科研工作者已经报道了四百多种全新的高熵合金体系。现有研究表明,FCC结构的高熵合金具有良好的热力学稳定性、超强的延展性和显著的加工硬化性能,但是强度低;BCC结构的高熵合金,强度高,但是延展性较差。因此具有FCC和BCC双相结构的高熵合金,引起了人们的广泛关注。但是如何在FCC结构中引入BCC相或者在BCC结构中引入FCC相?如何进一步细化晶粒尺寸、调控微观结构?这些问题成为制约高熵合金应用的瓶颈,急需解决。

目前已有研究者采用真空电弧熔炼、铜模吸铸和真空感应熔炼等传统方法制备了具有FCC和BCC双相结构的高熵合金,如He等采用真空电弧熔炼制备了上述双相结构的(FeCoNiCrMn)100-xAlx(x8)高熵合金(J.Y.He,W.H.Liu,H.Wang,Y.Wu,X.J.Liu,T.G.Nieh,Z.P.Lu,Effects of Al addition on structural evolution and tensile propertiesof the FeCoNiCrMnhigh-entropy alloy system,ActaMater.62(2014)105-113.)。Kumar等开发的上述双相结构的AlCuCrFeMnW高熵合金(D.Kumar,O.Maulik,S.Kumar,Y.V.S.S.Prasad,V.Kumar,Phase and thermal study of equiatomic AlCuCrFeMnW highentropy alloy processed via spark plasma sintering,Mater.Chem.Phys.210(2018)71-77.)。但是上述方法不可避免地存在熔炼温度较高、冷却速率有限等缺点,从而导致所制备的高熵合金产生组分偏析、晶粒粗大、缩松和气孔等缺陷,使得强塑性之间不匹配的问题;同时上述方法制备的HEAs有限的形状和尺寸也限制了其应用。

本发明为了改善具有单一FCC结构Cantor合金CoCrFeMnNi强度低的缺点,以气雾化CoCrFeMnNi高熵合金粉体和金属Al粉为原料,采用粉末冶金法可控制备出BCC相富含Cr和Mn元素BCC相富含Cr和Mn元素的具有FCC和BCC双相结构的低Al含量的高熵合金,该高熵合金表现出优异的综合力学性能,即同时具有较高的强度以及良好的塑性和耐腐蚀性,而且其制备工艺简单、成本较低、实用性强和便于推广,因此在工程结构材料领域具有广阔的应用前景。

发明内容

(一)解决的技术问题

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