[发明专利]双层膜结构、壳体组件和电子装置

说明书

本申请公开了一种双层膜结构、壳体组件和电子装置。双层膜结构包括沿预定方向设置的选择层和光子晶体层。选择层设置在光子晶体层上，选择层用于提高4μm以上波段的辐射率。光子晶体层包括沿预定方向周期交替堆叠的第一非导体和第二非导体，光子晶体层用于反射0.2μm～2.5μm波段的光线。本申请实施方式的双层膜结构、壳体组件和电子装置中，一方面，选择层能够提高4μm以上波段的辐射率，从而达到加强红外热辐射效果的作用，实现无源被动式辐射制冷，提高电子装置的散热能力；另一方面，光子晶体层能够选择性地反射太阳能量聚集的0.2μm～2.5μm波段的光线，从而抵御太阳辐射对电子装置的加热。

技术领域

本申请涉及终端散热技术领域，更具体而言，涉及一种双层膜结构、壳体组件和电子装置。

背景技术

随着电子装置中芯片的发展，电子装置的功能越来越强大，相应地，电子装置的功耗也越来越高。芯片运行时产生的高功耗直接导致芯片所在区域的温度急剧上升。如何提高电子装置的散热能力成为亟待解决的问题。

发明内容

本申请实施方式提供一种双层膜结构、壳体组件和电子装置。

本申请实施方式的双层膜结构包括沿预定方向设置的选择层和光子晶体层，所述选择层设置在所述光子晶体层上，所述选择层用于提高4μm以上波段的辐射率，所述光子晶体层包括沿所述预定方向周期交替堆叠的第一非导体和第二非导体，所述光子晶体层用于反射0.2μm～2.5μm波段的光线。

本申请实施方式的壳体组件包括双层膜结构和机壳，所述机壳包括相背的内表面和外表面，所述双层膜结构设置在所述外表面；所述双层膜结构包括沿预定方向设置的选择层和光子晶体层，所述选择层设置在所述光子晶体层上，所述选择层用于提高4μm以上波段的辐射率，所述光子晶体层包括沿所述预定方向周期交替堆叠的第一非导体和第二非导体，所述光子晶体层用于反射0.2μm～2.5μm波段的光线。

本申请实施方式的电子装置包括壳体组件和功能元件，所述功能元件安装在所述壳体组件上；所述壳体组件包括双层膜结构和机壳，所述机壳包括相背的内表面和外表面，所述双层膜结构设置在所述外表面；所述双层膜结构包括沿预定方向设置的选择层和光子晶体层，所述选择层设置在所述光子晶体层上，所述选择层用于提高4μm以上波段的辐射率，所述光子晶体层包括沿所述预定方向周期交替堆叠的第一非导体和第二非导体，所述光子晶体层用于反射0.2μm～2.5μm波段的光线。

本申请实施方式的双层膜结构、壳体组件和电子装置中，一方面，选择层能够提高4μm以上波段的辐射率，从而达到加强红外热辐射效果的作用，实现无源被动式辐射制冷，提高电子装置的散热能力；另一方面，光子晶体层能够选择性地反射太阳能量聚集的0.2μm～2.5μm波段的光线，从而抵御太阳辐射对电子装置的加热。

本申请的实施方式的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实施方式的实践了解到。

附图说明

本申请的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是本申请某些实施方式的电子装置的立体结构示意图；

图2是本申请某些实施方式的电子装置的平面结构示意图；

图3是本申请某些实施方式的电子装置的平面结构示意图；

图4是本申请某些实施方式的机壳的结构示意图；

图5是本申请某些实施方式的双层膜结构的结构示意图；

图6是本申请某些实施方式的光子晶体层的结构示意图；

图7是本申请某些实施方式的光子晶体层的结构示意图；