[发明专利]检测装置在审
申请号: | 201911119256.3 | 申请日: | 2019-11-15 |
公开(公告)号: | CN111198215A | 公开(公告)日: | 2020-05-26 |
发明(设计)人: | 井上文裕;中根健智 | 申请(专利权)人: | 美蓓亚三美株式会社 |
主分类号: | G01N27/22 | 分类号: | G01N27/22 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 范胜杰;曹鑫 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测 装置 | ||
本发明提供一种检测装置,其以实现小型化和功耗降低为目的。该检测装置具有:基板;参考电极,其设置于上述基板的上方;下部电极,其经由绝缘膜设置于上述参考电极的上方;以及上部电极,其经由物理量检测膜设置于上述下部电极的上方,通过上述上部电极和上述下部电极构成平行平板型的检测用电容器,通过上述下部电极和上述参考电极构成平行平板型的参考用电容器。
技术领域
本发明涉及湿度检测装置等检测装置。
背景技术
作为检测装置,例如湿度检测装置有将湿敏膜用作电介质的静电电容式检测装置,其中,湿敏膜由介电常数根据吸收的水分量变化的高分子材料形成。在该静电电容式的湿度检测装置中,在电极间配置湿敏膜,通过测定该电极间的静电电容来求出湿度(相对湿度)(例如,参照专利文献1)。
在专利文献1所记载的湿度检测装置中,设有静电电容根据湿度变化的传感器部、不论湿度而保持固定的静电电容的基准部(参考部),通过将两者的电容差变换为电压来测量湿度。将传感器部和基准部并设于基板上。
作为在这样的静电电容式湿度检测装置中所使用的电路部,已知将从传感器部输出的电荷通过电荷放大器变换为电压的结构(例如,参照专利文献2)。该电路部中除了电荷放大器外,还设有通过矩形波的交流驱动信号驱动传感器部的驱动电路等。
在专利文献1所记载的湿度检测装置中,将传感器部和基准部并设于基板上,因此存在基板面积较大、无法小型化的问题。
此外,传感器部和基准部分别是具有上部电极和下部电极的平行平板构造的电容器,下部电极被一体化。该下部电极作为检测上述电容差的电容检测电极发挥功能。在专利文献1中,将电容检测电极配置于基板上,所以与基板间的寄生电容变大,放大器的驱动负载变大,因此存在功耗较大的问题。
专利文献1:日本特许第5547296号
专利文献2:日本特许第6228865号
发明内容
本发明的目的在于实现小型化和功耗降低。
公开的技术为一种检测装置,该检测装置具有:基板;参考电极,其设置于上述基板的上方;下部电极,其经由绝缘膜设置于上述参考电极的上方;以及上部电极,其经由物理量检测膜设置于上述下部电极的上方,通过上述上部电极和上述下部电极构成平行平板型的检测用电容器,通过上述下部电极和上述参考电极构成平行平板型的参考用电容器。
根据本发明,能够实现小型化和功耗降低。
附图说明
图1是举例表示本发明的一实施方式的湿度检测装置的概要结构的图。
图2是概要性地表示沿图1中的A-A线的断面的断面图。
图3是去除了模制树脂的状态下的湿度检测装置的平面图。
图4是表示传感器芯片的结构的概要平面图。
图5是举例表示ESD保护电路的结构的电路图。
图6是举例表示构成ESD保护电路的NMOS晶体管的层构造的图。
图7是举例表示湿度检测部的结构的电路图。
图8是举例表示温度检测部的结构的电路图。
图9是用于说明传感器芯片的元件构造的概要断面图。
图10是举例表示加热部的平面形状的概要平面图。
图11是举例表示湿度检测部的各电极的平面形状的概要平面图。
图12是举例表示第2配线层的布局图案的平面图。
图13是表示沿图12的A-A线的断面构造的概要断面图。
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