[发明专利]功率变换装置及具备该功率变换装置的冷冻循环装置在审
申请号: | 201911111438.6 | 申请日: | 2019-11-14 |
公开(公告)号: | CN111342686A | 公开(公告)日: | 2020-06-26 |
发明(设计)人: | 大石孝;大田将志;大久保敏一 | 申请(专利权)人: | 日立江森自控空调有限公司 |
主分类号: | H02M7/48 | 分类号: | H02M7/48;H02M1/44;H05K7/20;F24F11/88 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 金成哲;王莉莉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 变换 装置 具备 冷冻 循环 | ||
本发明提供实现了功率损耗、电磁噪声的减少的功率变换装置等。功率变换装置(100)具有分别与功率变换电路(30)的正极侧、负极侧连接并成为直流供电线的一部分的第一导体图案(k1、h1)和分别在正极侧、负极侧连接功率变换电路(30)与缓冲电容器(21)的第二导体图案(k2、h2)。在功率变换电路(30)的正极侧的输入端子(IP)附近,以接近第一导体图案(k1)的方式设有第二导体图案(k2)。并且,在功率变换电路(30)的负极侧的输入端子(IN)附近,以接近第一导体图案(h1)的方式设有第二导体图案(h2)。
技术领域
本发明涉及功率变换装置等。
背景技术
公知一种驱动马达的逆变器等功率变换装置。逆变器通过进行半导体开关元件的开关动作来向作为负荷的马达供电。并且,因开关动作,连接半导体开关元件与直流电源的布线产生电流变化,并且因布线上的寄生电感而产生反电动势。
其结果,在半导体开关元件的电流切断时,对半导体开关元件施加将上述的反电动势与电源电压合成后的电压。此外,与半导体开关元件的开关脉冲宽度相比,反电动势的产生期间极短,其电压波形成为尖峰状。因此,半导体开关元件的电压成为尖峰状的电压(以下称作“尖峰电压”)叠加于电源电压而成的波形。为了防止由这样的尖峰电压导致的半导体开关元件的破坏,通常使用相比电源电压与尖峰电压的合成电压值而耐压较高的电压的半导体开关元件。
此外,半导体开关元件的耐压与其接通电压、接通电阻之间一般存在比例关系。因此,若使用为了防止由尖峰电压导致的破坏而耐压较高的电压的开关元件,则功率损耗增加。另外,由于尖峰电压助长电磁噪声的产生,所以有引发设备的误动作的担忧。作为减少这样的尖峰电压的技术,例如公知专利文献1所记载的技术。
即,专利文献1中记载一种功率变换装置,该功率变换装置构成为:“第一板状导体和第二板状导体在与绝缘体层叠的层叠状态下从树脂密封的表面突出并横穿驱动控制电路的侧部,另外,第一板状导体和第二板状导体各自的前端部与电源模块的电极连接”。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2011-239679号公报
发明内容
发明所要解决的课题
然而,作为减少由寄生电感导致的反电动势的元件,公知有缓冲电容器。为了使用该缓冲电容器来有效地减少反电动势,期望在半导体开关元件的附近安装缓冲电容器。
然而,因半导体开关元件的形状、安装方法等的制约,有时无法在半导体开关元件的附近配置缓冲电容器。即使在这样的情况下,也要求减少伴随反电动势产生的功率损耗、电磁噪声,但在专利文献1中未记载这样的技术。
因此,本发明的课题在于提供实现了功率损耗、电磁噪声的减少的功率变换装置等。
用于解决课题的方案
为了解决上述课题,本发明构成为,具有:第一导体图案,其与功率变换电路的正极侧、负极侧分别连接并成为直流供电线的一部分;和第二导体图案,其在正极侧、负极侧分别连接上述功率变换电路与缓冲电容器,在上述功率变换电路的正极侧的输入端子附近,以向正极侧的上述第一导体图案接近的方式设有正极侧的上述第二导体图案,在上述功率变换电路的负极侧的输入端子附近,以向负极侧的上述第一导体图案接近的方式设有负极侧的上述第二导体图案。
发明的效果
根据本发明,能够提供实现了功率损耗、电磁噪声的减少的功率变换装置等。
附图说明
图1是包含本发明的第一实施方式的功率变换装置的结构图。
图2是包含本发明的第一实施方式的功率变换装置所具备的寄生电感减少单元的等效电路的说明图。
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