[发明专利]包括自动自举的共源共栅驱动器的高速电压电平转换器在审

专利信息
申请号: 201911106176.4 申请日: 2019-11-13
公开(公告)号: CN111181546A 公开(公告)日: 2020-05-19
发明(设计)人: J·皮格特;T·M·纽林 申请(专利权)人: 恩智浦美国有限公司
主分类号: H03K19/0175 分类号: H03K19/0175;H03K19/0185
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 刘倜
地址: 美国得*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 包括 自动 共源共栅 驱动器 高速 电压 电平 转换器
【权利要求书】:

1.一种高速电压电平转换器,其特征在于,包括:

第一P沟道场效应晶体管(PFET),所述第一PFET包括连接到高压(HV)电源的第一源极;以及

第二PFET,所述第二PFET包括连接到所述HV电源的第二源极,所述第一PFET包括连接到所述第二PFET的第二栅极和第一电压驱动器的第一驱动器输出的第一漏极,所述第二PFET包括连接到所述第一PFET的第一栅极和第二电压驱动器的第二驱动器输出的第二漏极,第一输入连接到所述第一电压驱动器的第一驱动器输入,并且第二输入连接到所述第二电压驱动器的第二驱动器输入,其中所述第二输入具有所述第一输入的相反极性,并且所述第一电压驱动器和所述第二电压驱动器中的至少一个电压驱动器包括:

串联连接的N沟道场效应晶体管(NFET)对,所述串联连接的NFET对包括低压(LV)晶体管和HV晶体管,其中所述LV晶体管的LV栅极连接到驱动器输入,所述HV晶体管的HV漏极连接到驱动器输出,偏置装置连接在所述HV晶体管的偏置电压与HV栅极之间以在所述HV栅极上生成中间电压,并且电容器连接在所述LV栅极与所述HV栅极之间,其中响应于所述LV栅极上的第一电压转变,所述电容器将所述中间电压自举到经过自举的电压。

2.根据权利要求1所述的高速电压电平转换器,其特征在于,所述第一电压转变是所述第一电压驱动器和所述第二电压驱动器中的一个电压驱动器的正电压转变,并且所述中间电压被自举在或高于驱动电压持续最小时间段以使所述输出放电到最小电压。

3.根据权利要求2所述的高速电压电平转换器,其特征在于,响应于所述正电压转变而激活所述LV晶体管使所述LV晶体管的所述LV漏极上的LV漏极电压保持低于所述LV晶体管的击穿电压,而所述中间电压被自举到经过自举的电压。

4.根据权利要求1所述的高速电压电平转换器,其特征在于,所述第一电压转变是在所述第一电压驱动器和所述第二电压驱动器中的一个电压驱动器的所述LV栅极上的负电压转变,由此使相应的LV晶体管去激活。

5.根据权利要求1所述的高速电压电平转换器,其特征在于,所述第一电压驱动器和所述第二电压驱动器中的一个电压驱动器的时间常数由相应的偏置装置的电阻和相应的电容器的电容限定,并且所述时间常数大于最小时间常数,由此将所述HV栅极上的所述经过自举的电压保持在最小电压持续最小时间段以使所述输出放电到最小电压。

6.根据权利要求1所述的高速电压电平转换器,其特征在于,所述第一电压驱动器和所述第二电压驱动器中的一个电压驱动器的时间常数由所述相应的偏置装置的电阻和所述相应的电容器的电容限定,并且所述时间常数小于最大时间常数,由此在所述第一电压转变之后的负电压转变之前使所述经过自举的电压放电到所述中间电压。

7.根据权利要求1所述的高速电压电平转换器,其特征在于,所述偏置装置包括PFET,所述PFET包括偏置到接地的栅极。

8.根据权利要求1所述的高速电压电平转换器,其特征在于,所述偏置装置包括电阻器。

9.一种用于进行高速电压电平转换的方法,其特征在于,包括:

用偏置装置将高压(HV)栅极偏置到中间电压,其中所述中间电压处于包括所述HV栅极的HV晶体管的HV电压范围内;

用电压脉冲的施加到低压(LV)晶体管的LV栅极的正电压转变激活所述LV晶体管,其中所述HV晶体管串联连接在所述LV晶体管的输出与LV漏极之间;

响应于通过其间连接的电容器耦合到所述HV栅极的所述LV栅极上的所述正电压转变,将所述中间电压自举到经过自举的电压;以及

使所述输出放电,其中由所述偏置装置的电阻和所述电容器的电容限定的时间常数大于最小时间常数,由此将所述HV栅极上的所述经过自举的电压保持在或高于驱动电压持续最小时间段以使所述输出放电到最小电压。

10.一种高速电压电平转换器,其特征在于,包括:

低压(LV)晶体管,所述LV晶体管包括LV漏极、连接到输入的LV栅极以及连接到接地的LV源极,其中所述LV晶体管被配置成在施加到所述输入的电压脉冲的LV电压范围内进行操作;

高压(HV)晶体管,所述HV晶体管包括连接到所述LV漏极的HV源极、HV栅极以及连接到输出的HV漏极,其中所述HV晶体管被配置成在HV电压范围内进行操作,并且所述HV电压范围的HV最大电压大于所述LV电压范围的LV最大电压;

偏置装置,所述偏置装置连接在偏置电压与所述HV栅极之间,其中所述偏置电压被配置成将所述HV栅极偏置到所述HV电压范围的中间电压;以及

电容器,所述电容器连接在所述LV栅极与所述HV栅极之间,所述电容器被配置成响应于所述电压脉冲的正电压转变而将所述中间电压自举到经过自举的电压,其中由所述偏置装置的电阻和所述电容器的电容限定的时间常数大于最小时间常数,由此将所述HV栅极上的所述经过自举的电压保持在或高于驱动电压持续最小时间段以使所述输出放电到最小电压。

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