[发明专利]一种耐辐射LED灯有效

专利信息
申请号: 201911098674.9 申请日: 2019-11-12
公开(公告)号: CN112867197B 公开(公告)日: 2023-04-11
发明(设计)人: 叶炜;郭邦俊 申请(专利权)人: 杭州新叶光电工程技术有限公司
主分类号: H05B45/30 分类号: H05B45/30
代理公司: 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 代理人: 刘晓春
地址: 310000 浙江省杭州市西*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 辐射 led
【权利要求书】:

1.一种耐辐射LED灯,至少包括一个耐辐射LED光源和一个耐辐射LED驱动器;

所述耐辐射LED光源至少包括一颗LED灯珠,其特征在于所述LED灯珠采用倒装结构的芯片,LED倒装芯片的发光层和引出电极都在灯珠的底部,而作为LED芯片衬底材料的透明蓝宝石层在发光层的上层;

所述LED灯珠的支架的外形是盆形,倒装LED芯片设置在盆形中,所述盆形的盆底上设有两个不相连的导电元件,为焊接LED倒装芯片和引出电极之用;所述盆形的盆侧壁的内侧和盆底有一镀层,既能反射可见光起到增加可见光输出的作用,又有一定的反射和吸收核辐射光子的作用,起到抗辐射的作用;

所述LED倒装芯片通过焊料焊接到盆底的两个所述导电元件上,两个导电元件的电极和LED倒装芯片的电极对应,LED倒装芯片及LED倒装芯片的顶部涂布透明硅胶或混有荧光材料的硅胶,所述硅胶填充所述LED灯珠内的空间,所述LED灯珠的透镜采用耐核辐射的玻璃;

所述盆形的盆侧壁的顶端设置凹槽,可以嵌入透镜外罩的底边,使透镜固定在支架上;

所述耐辐射LED驱动器用于耐辐射LED光源的光源板供电,所述耐辐射LED驱动器包括电路基板,电路基板采用铜PCB或含铅的陶瓷PCB板,在含铅的陶瓷PCB板设置电路层,所述光源板焊接若干颗所述的耐辐射LED灯的LED灯珠。

2.如权利要求1所述的一种耐辐射LED灯,其特征在于蓝宝石层的厚度达到120μm~150μm。

3.如权利要求1所述的一种耐辐射LED灯,其特征在于所述盆形的盆底厚度在5mm以上,盆侧壁厚度在4mm以上,使其具有防护外界核辐射侵入的能力;盆底与盆侧壁的夹角呈100°-150°。

4.如权利要求1所述的一种耐辐射LED灯,其特征在于所述支架的盆体用耐辐射的塑料制成。

5.如权利要求1所述的一种耐辐射LED灯,其特征在于所述含铅的陶瓷PCB板是在陶瓷板原料中加入占总质量10%~30%的铅粉,铅粉的颗粒细于陶瓷粉的颗粒,以此为基料进行烧结。

6.如权利要求1所述的一种耐辐射LED灯,其特征在于所述含铅的陶瓷PCB板的烧结工艺为:在陶瓷板原料中混合10%~30%的铅粉,混合均匀后,先以400℃~500℃的温度烧结10~20分钟,再升温至陶瓷烧结温度,完成烧结冷却后形成厚度为5mm~8mm的含铅陶瓷板。

7.如权利要求1所述的一种耐辐射LED灯,其特征在于所述光源板的控制电路中,采用四端恒流源电路,以多数流子器件的恒流二极管作为基准,交流电源220V经EMC滤波器L1由变压器T变为交流低压,经整流桥堆整流后通过电容C2成为直流电压,后部电路为四端恒流源电路;

在四端恒流源电路中,在晶体管T1的集-射极之间接入一个分流电阻R1,晶体管T1为大功率NPN管,电阻R2、电阻R3、晶体管T2确定晶体管T1的基极电压,稳压管D1和恒流管D2建立了晶体管T3的基极电压,并与晶体管T4组成差分放大器,输出与晶体管T2基极相连,建立晶体管T2的基极电压,差分放大器可减小外部温度引起的电流变化影响,差分放大器的发射极串连恒流管D3,可使差分放大器稳定工作。

8.如权利要求7所述的一种耐辐射LED灯,其特征在于LED驱动器设置有处在驱动器外部但处在所述LED灯内部的光传感器,通过外部光传感器配合所述控制电路中电阻R2,调节输出电压和电流,自动改变所述LED灯的光通量输出,使LED在工作寿命期间内,让光通量输出保持稳定,抵消辐射影响。

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