[发明专利]石墨肽发酵禾墨烯制取石墨烯的方法在审
| 申请号: | 201911098126.6 | 申请日: | 2019-11-12 |
| 公开(公告)号: | CN110668430A | 公开(公告)日: | 2020-01-10 |
| 发明(设计)人: | 刘宏伟;姜国文;王丽华;姜钧奇;周诗博;李晓峰 | 申请(专利权)人: | 沈阳中科腐蚀控制工程技术中心;中国科学院金属研究所 |
| 主分类号: | C01B32/184 | 分类号: | C01B32/184 |
| 代理公司: | 21107 沈阳亚泰专利商标代理有限公司 | 代理人: | 郭元艺 |
| 地址: | 110016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 石墨 化学溶剂 石墨烯 催化剂 硅酸 高温加热过程 超高压处理 新能源技术 高温加热 混合物 硝酸 生物质 添加量 质量比 溶剂 制取 硫酸 发酵 | ||
本发明属于生物质新能源技术领域,尤其涉及一种石墨肽发酵禾墨烯制取石墨烯的方法,包括如下步骤:将石墨肽与禾墨烯混合,加入化学溶剂,并添加催化剂;将所得产物进行高温加热,而后经超高压处理得到石墨烯;所述高温加热过程包括每分钟升温18~25℃,控制温度350~400℃;再每分钟升温20~30℃左右,控制温度900~1400℃;所述化学溶剂为硝酸或硫酸中的一种或者两种溶剂的混合物;所述催化剂为硅酸,其添加量与石墨肽和禾墨烯总量的质量比为:(0.001~0.01):1。本发明环境污染小,工艺简单,成本低廉,比表面积大。
技术领域
本发明属于生物质新能源技术领域,尤其涉及一种石墨肽发酵禾墨烯制取石墨烯的方法。
背景技术
石墨烯(Graphene)是一种由碳原子以sp²杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的二维碳纳米材料。石墨烯具有优异的光学、电学、力学特性,在材料学、微纳加工、能源、生物医学和药物传递等方面具有重要的应用前景,被认为是一种未来革命性的材料。英国曼彻斯特大学物理学家安德烈·盖姆和康斯坦丁·诺沃肖洛夫,用微机械剥离法成功从石墨中分离出石墨烯。石墨烯常见的粉体生产的方法为机械剥离法、氧化还原法、SiC外延生长法,薄膜生产方法为化学气相沉积法(CVD)。在这些方法中,机械剥离法和外延生长法制备效率很低,难以满足大规模的需要。化学气相沉积法虽然可以获得大尺寸连续的石墨烯薄膜,但适用于微纳电子器件或透明导电薄膜,却不能满足储能材料及功能复合材料领域的大规模需求。
石墨烯目前是世上最薄却也是最坚硬的纳米材料,它几乎是完全透明的,只吸收2.3%的光;导热系数高达5300W/m·K,高于碳纳米管和金刚石,常温下其电子迁移率超过纳米碳管或硅晶体,而电阻率只约10~6Ω·cm,比铜或银更低,为目前世上电阻率最小的材料。因为它的电阻率极低,电子迁移的速度极快,因此被期待可用来发展出更薄、导电速度更快的新一代电子元件或晶体管。由于石墨烯实质上是一种透明、良好的导体,也适合用来制造透明触控屏幕、光板、甚至是太阳能电池。
氧化-还原法制备石墨烯材料粉体较为容易实现,是制备石墨烯材料粉体的常用方法,但是该方法在制备石墨烯的过程中使用大量强酸和氧化剂,对石墨烯表面破坏严重,并且容易污染环境,因此不适合大规模产业化的石墨烯制备。
发明内容
本发明提供了一种环境污染小,工艺简单,成本低廉,比表面积大的石墨肽发酵禾墨烯制取石墨烯的方法。
为解决上述技术问题,本发明是这样实现的:
石墨肽发酵禾墨烯制取石墨烯的方法,其特征在于,包括如下步骤:将石墨肽与禾墨烯混合,加入化学溶剂,并添加催化剂;将所得产物进行高温加热,而后经超高压处理得到石墨烯。
作为一种优选方案,本发明所述高温加热过程包括每分钟升温18~25℃,控制温度350~400℃;再每分钟升温20~30℃左右,控制温度900~1400℃。
进一步地,本发明所述化学溶剂为硝酸或硫酸中的一种或者两种溶剂的混合物。
进一步地,本发明所述催化剂为硅酸,其添加量与石墨肽和禾墨烯总量的质量比为:0.001~0.01:1。
进一步地,本发明所述超高压条件为:压力450~700MPa;保压时间27~65min、加压温度53~83℃。
本发明环境污染小,工艺简单,成本低廉,比表面积大。按照本发明方案所述的制备方法制备得到石墨烯的比表面积为2100~3500cm3,石墨烯的孔径为3~22nm。本发明以禾墨烯为原料制备石墨烯,使得生物质得到较好的处理,并大大提高了生物质的附加值,有助于我国农村经济的快速提升。 电导率(S/m):25100-29000;拉曼光谱(IG/ID):≥5.0;C/O:≥30;灰分(%):2 .0~4 .0;Fe(%):0.2~0.8;Si(%):0.06~0.9。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳中科腐蚀控制工程技术中心;中国科学院金属研究所,未经沈阳中科腐蚀控制工程技术中心;中国科学院金属研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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