[发明专利]一种基于流式细胞仪APD恒温控制装置

权利要求书

1.一种基于流式细胞仪APD恒温控制装置，其特征在于，包括：温度检测模块，光电转换模块，散热模块，以及安装底座；

所述温度检测模块设置在所述光电转换模块分布的中心位置；所述光电转换模块由至少一个APD二极管组成，且与所述散热模块贴合设置；所述散热模块安装在所述安装底座上，并形成了流式细胞仪APD恒温控制装置。

2.如权利要求1所述的基于流式细胞仪APD恒温控制装置，其特征在于，所述散热模块包括：散热片，传热导体，以及制冷片。

3.如权利要求2所述的基于流式细胞仪APD恒温控制装置，其特征在于，包括：所述传热导体设置有多个用于容纳将所述光电转换模块中的APD二极管的容纳腔；

所述制冷片设置在所述散热片与所述传热导体之间，所述制冷片以及散热片与所述安装底座呈距离设置。

4.如权利要求3述的基于流式细胞仪APD恒温控制装置，其特征在于，包括：所述制冷片通过制冷控制板调整制冷温度；所述制冷控制板上设置有电源转换芯片，驱动控制模块，以及制冷控制芯片；

所述电源转换芯片分别与所述驱动控制模块以及所述制冷控制芯片通信连接，所述电源转换电路将降压转换后的电压分别加载在所述驱动控制模块以及所述制冷控制芯片的电源端；在所述制冷控制芯片的控制下通过所述驱动控制模块，控制半导体制冷片制冷。

5.根据权利要求4所述的温度控制电路，其特征在于，所述温度采集电路包括：所述驱动控制模块包括MOS管Q3和MOS管Q4；

所述制冷控制芯片的第26引脚与所述MOS管Q3的第一栅极端(G1)连接，所述制冷控制芯片的第25引脚与所述MOS管Q3的第二栅极端(G2)连接，所述制冷控制芯片的第27引脚分别与所述MOS管Q3的各漏极端连接；

所述MOS管Q3的第一源极(S1)端接地，所述MOS管Q3的第二源极(S1)端接所述电源转换芯片转换后的电压；

所述制冷控制芯片的第21引脚与所述MOS管Q4的第一栅极端(G1)连接，所述制冷控制芯片的第19引脚与所述MOS管Q4的第二栅极端(G2)连接，所述制冷控制芯片的第20引脚分别与所述MOS管Q4的各漏极端连接；

所述MOS管Q4的第一源极(S1)端接地，所述MOS管Q4的第二源极(S1)端接所述电源转换芯片转换后的电压。

6.如权利要求2述的基于流式细胞仪APD恒温控制装置，其特征在于，

在所述传热导体远离所述安装底座的一端设置容纳所述温度检测模块的容纳腔；所述温度检测模块的检测端靠近所述光电转换模块设置，所述温度检测模块的信号传输端远离所述温度检测模块设置。

7.如权利要求1-2任一述的基于流式细胞仪APD恒温控制装置，其特征在于，所述光电转换模块中各所述APD二极管设置有保护罩；所述保护罩与所述容纳腔通过导热胶贴合设置。

8.如权利要求2所述的基于流式细胞仪APD恒温控制装置，其特征在于，所述；散热模块包括：散热片，传热导体，

所述散热片通过螺栓固设在所述传热导体上。