[发明专利]陶瓷组成物用于热敏电阻器的用途、陶瓷烧结体用于热敏电阻器的用途及热敏电阻器有效
| 申请号: | 201911076771.8 | 申请日: | 2019-11-06 |
| 公开(公告)号: | CN112759384B | 公开(公告)日: | 2022-09-30 |
| 发明(设计)人: | 孙嘉聪 | 申请(专利权)人: | 兴勤电子工业股份有限公司 |
| 主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468;C04B35/622;C04B41/88 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 张德斌;闫加贺 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 陶瓷 组成 用于 热敏 电阻器 用途 烧结 体用 | ||
1.一种陶瓷组成物用于热敏电阻器的用途,所述陶瓷组成物包含:
主粉材料,其包含具有由通式AmBO3所示的钙钛矿型结构的第一主粉,其中A位选自钡、锶或其组合,B位为钛,m为A位与B位的摩尔比,且1.02≦m≦1.05;
第一稀土材料;以及
微纳米硅玻璃,其中以所述主粉材料、所述第一稀土材料和所述微纳米硅玻璃三者的总重为基准,所述第一稀土材料的含量为0.5重量百分比至3重量百分比。
2.如权利要求1所述的用途,其中所述主粉材料还包含碳酸钡;以所述第一主粉的总含量为1摩尔计,碳酸钡的含量为0.02摩尔至0.05摩尔。
3.如权利要求1或2所述的用途,其中所述A位包含钡与锶的组合;以所述A位的总摩尔数为1摩尔计,锶的含量为大于0摩尔至0.06摩尔。
4.如权利要求1或2所述的用途,其中,以所述主粉材料、所述第一稀土材料和所述微纳米硅玻璃三者的总重为基准,所述主粉材料的含量为77重量百分比至96.9重量百分比,以及所述微纳米硅玻璃的含量为3重量百分比至20重量百分比。
5.如权利要求4所述的用途,其中所述微纳米硅玻璃的含量为5重量百分比至15重量百分比。
6.一种陶瓷烧结体用于热敏电阻器的用途,其由一陶瓷组成物烧结而成;其中,所述陶瓷组成物包含:
主粉材料,其包含具有由通式AmBO3所示的钙钛矿型结构的第一主粉,其中A位选自钡、锶或其组合,B位为钛,m为A位与B位的摩尔比,且1.02≦m≦1.05;
第一稀土材料;以及
微纳米硅玻璃,其中以所述主粉材料、所述第一稀土材料和所述微纳米硅玻璃三者的总重为基准,所述第一稀土材料的含量为0.5重量百分比至3重量百分比;以及
所述陶瓷烧结体具有多个孔洞,且所述陶瓷烧结体的孔隙率为5%至20%。
7.如权利要求6所述的用途,其中部分所述孔洞中形成有玻璃相。
8.一种热敏电阻器,其包括一叠层型陶瓷电子元件,且所述叠 层型陶瓷电子元件包括:
一陶瓷本体,其包含多个陶瓷烧结体和多个内电极;其中,所述陶瓷烧结体由一陶瓷组成物烧结而成,且所述陶瓷组成物包含:
主粉材料,其包含具有由通式AmBO3所示的钙钛矿型结构的第一主粉,其中A位选自钡、锶或其组合,B位为钛,m为A位与B位的摩尔比,且1.02≦m≦1.05;
第一稀土材料;以及
微纳米硅玻璃,其中以所述主粉材料、所述第一稀土材料和所述微纳米硅玻璃三者的总重为基准,所述第一稀土材料的含量为0.5重量百分比至3重量百分比;以及所述陶瓷烧结体具有多个孔洞,且所述陶瓷烧结体的孔隙率为5%至20%;以及
所述陶瓷烧结体与所述内电极互相交叠形成于所述陶瓷本体内;以及
二个外电极,其分别设置于所述陶瓷本体的相对两侧面并与所述内电极电连接。
9.如权利要求8所述的热敏电阻器,其室温电阻值为1欧姆至15欧姆,及其电阻温度系数为4至10ppm/℃。
10.如权利要求9所述的热敏电阻器,其居里温度为80℃至110℃。
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