[发明专利]西番莲大田高位嫁接及栽培方法在审
申请号: | 201911046012.7 | 申请日: | 2019-10-30 |
公开(公告)号: | CN110754235A | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
发明(设计)人: | 刘洁云;黄永才;吴艳艳;牟海飞;黄伟华;田青兰;彭嘉宇;张英俊 | 申请(专利权)人: | 广西壮族自治区农业科学院 |
主分类号: | A01G2/30 | 分类号: | A01G2/30;A01G22/05 |
代理公司: | 11279 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李秋琦 |
地址: | 530007 广西壮族*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 嫁接 高位嫁接 大田 接穗 砧木 茎基腐病 植株 侧芽 种植 斜切 发病率降低 缠绕固定 透光薄膜 砧木植株 植株营养 早产 常规的 嫁接苗 抗性强 栽培种 大苗 剪去 上架 叶片 移栽 丰产 开花 栽培 | ||
本发明公开了一种西番莲大田高位嫁接的方法,以原生黄果西番莲植株作为砧木,砧木植株的二级支蔓长至10‑15cm,留一个侧芽,在距离侧芽3‑5cm处嫁接,选择接穗长3‑4cm,剪去每张叶片的2/3‑3/4,嫁接口斜切后进行嫁接,嫁接后用嫁接膜缠绕固定,再套上透光薄膜袋。本发明西番莲大田高位嫁接的方法,通过将抗性强的原生黄果西番莲种植于大田,待上架后将栽培种西番莲的接穗嫁接于二级支蔓上,可有效降低茎基腐病的发生,做到宿根多年种植,缩短植株营养生长期,使植株提早开花结果,促进早产丰产。使用高位嫁接的方法,可使西番莲种植第二年茎基腐病发病率降低至0‑1%,且可连续多年栽培。砧木育大苗高位嫁接可比常规的嫁接苗移栽提早开花15‑20天。
技术领域
本发明涉及西番莲栽培领域,特别涉及一种西番莲大田高位嫁接及栽培方法。
背景技术
西番莲又名百香果、鸡蛋果、热情果,其果汁酸甜可口,具有菠萝、香蕉、柠檬、苹果等多种水果的复合芳香,常用于鲜食及果汁加工,被誉为“果汁之王”。我国台湾、福建、海南、广东、广西、云南、贵州等地均有栽培。栽培品种主要有黄果西番莲、紫果西番莲及它们的杂交种。然而西番莲的生产日益受到西番莲病害的为害,其中西番莲茎基腐病为主要病害,对生产上的主栽品种为害严重。目前防治茎基腐病的主要方法除药剂防治外,将对茎基腐病抗性强的黄果西番莲品种作为砧木,栽培种作为接穗嫁接也对降低茎基腐病的发生率具有一定的效果。但生产上采用的嫁接方法,由于砧木太短,在药剂防治措施不到位,果园阴蔽等情况下,茎基腐病仍会大规模爆发,多数情况下很难宿根多年栽培。
公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解,而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
发明内容
本发明的目的在于提供一种西番莲大田高位嫁接的方法,从而克服西番莲茎基腐病发生率高的缺点。
本发明的另一目的在于提供一种西番莲的栽培方法,以提高西番莲产量。
为实现上述目的,本发明提供了一种西番莲大田高位嫁接的方法,以原生黄果西番莲植株作为砧木,砧木植株的二级支蔓长至10-15cm,留一个侧芽,在距离侧芽3-5cm处嫁接,选择接穗长3-4cm,剪去每张叶片的2/3-3/4,嫁接口斜切后进行嫁接,嫁接后用嫁接膜缠绕固定,再套上透光薄膜袋。
优选地,上述技术方案中,所述嫁接口斜切的角度为40-50°。
一种西番莲的栽培方法,使用上述的嫁接方法进行嫁接。
一种西番莲的栽培方法,包括以下步骤:
(1)砧木培育:选取黄果西番莲作为砧木,栽培在育苗基质中;
(2)砧木移栽管理:砧木植株生长至70-80cm,移栽于大田,定期抹除侧芽,直至植株抽生出二级支蔓;
(3)嫁接:砧木植株的二级支蔓长至10-15cm,留一个侧芽,在距离侧芽3-5cm处嫁接,选择接穗长3-4cm,剪去每张叶片的2/3-3/4,嫁接口斜切后进行嫁接,嫁接后用嫁接膜缠绕固定,再套上透光薄膜袋;
(4)嫁接后管理:嫁接成活后摘下透光薄膜袋,抹去砧木上的侧芽,每7-10天喷800-1500倍液高氮型水溶型复合肥,喷3-4次。
优选地,上述技术方案中,步骤(1)砧木培育为选取原生黄果种子进行播种,播种于育苗基质中,在植株附近设支撑杆。
优选地,上述技术方案中,育苗基质主要有以下原料制成:泥炭土和珍珠岩,泥炭土和珍珠岩混合的体积比为7-10:1。
优选地,上述技术方案中,步骤(2)砧木移栽后,每株植株留2-6条一级支蔓,每条一级支蔓上留6-15条二级支蔓。
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