[发明专利]一种高平坦度功率检测装置有效
申请号: | 201911020306.2 | 申请日: | 2019-10-25 |
公开(公告)号: | CN110780112B | 公开(公告)日: | 2022-06-28 |
发明(设计)人: | 许卫;程浩然;辛鹏;刘斌;罗华;汤泽坤;李宏斌 | 申请(专利权)人: | 武汉滨湖电子有限责任公司 |
主分类号: | G01R21/00 | 分类号: | G01R21/00 |
代理公司: | 武汉帅丞知识产权代理有限公司 42220 | 代理人: | 朱必武 |
地址: | 430205 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 平坦 功率 检测 装置 | ||
1.一种高平坦度功率检测装置,包括耦合器和控制器,耦合器包括输入端口(1)、耦合器输出端口(10)、耦合输出端口(2)、负载端口(3),耦合输出端口(2)和控制器第一端口通过同轴电缆连接,控制器第二端口为耦合信号输出端口,耦合器微波信号从输入端口(1)输入,从耦合器输出端口(10)输出,耦合后的小信号从耦合输出端口( 2) 输出;
输入端口(1)、耦合器输出端口(10)的波导管管壁上设置四个第一安装孔(4),四个第一安装孔呈矩形结构,控制器(5)通过四个第一安装孔安装于波导管管壁上,其中,第一安装孔(4)区域的波导管管壁厚度大于6mm,第一安装孔(4)的深度不超过4mm;其特征在于:
控制器内部设置微带板,微带板背面全部覆铜,微带板正面设置上部覆铜区域和下部覆铜区域,上部覆铜区域与下部覆铜区域之间设有一条状不覆铜区域,下部覆铜区域设置两个结构相同的内凹区域,记为第一内凹区域和第二内凹区域,第一内凹区域除第一覆铜凸出区域覆铜外,其余第一内凹区域不覆铜,所述第一覆铜凸出区域为第一内凹区域凹陷上底边中部突出的一水平方向宽1.52mm、竖直方向高4mm的覆铜区域,第二内凹区域内具有结构位置相同的第二覆铜凸出区域,上部覆铜区域和下部覆铜区域设置接地孔(14),控制器内部加工成能够紧凑放置微带板的空腔,并使用螺钉将微带板固定在空腔内;
上部覆铜区域和下部覆铜区域之间的条状不覆铜区域设置五段第一微带线,相邻的第一微带线之间通过贴片电容器连接,也就是从左至右结构为:第一微带线A第二端通过第一贴片电容与第一微带线B第一端连接,第一微带线B第二端通过第二贴片电容与第一微带线C第一端连接,第一微带线C第二端通过第三贴片电容与第一微带线D第一端连接,第一微带线D第二端通过第四贴片电容与第一微带线E第一端连接,第一微带线A第一端与控制器第一端口连接、第一微带线E第二端与控制器第二端口连接;
第一微带线B位于第一内凹区域的第一覆铜凸出区域上部,第一微带线D位于第二内凹区域的第二覆铜凸出区域上部,第一微带线B靠近第一内凹区域的第三端通过第一贴片电阻与第二微带线a第一端连接,第二微带线a第二端通过第五贴片电容连接至第一覆铜凸出区域上端面,第一微带线D靠近第二内凹区域的第三端通过第二贴片电阻与第二微带线b第一端连接,第二微带线b第二端通过第六贴片电容连接至第二覆铜凸出区域上端面;
第一微带线A-E的竖直方向宽度均为1.52mm,第一微带线A、第一微带线E的水平方向长度均为6mm,第一微带线B、第一微带线D的水平方向长度均为2mm,第一微带线C的水平方向长度为8mm,第一贴片电容—第四贴片电容的水平方向长度均为1.5mm,第一贴片电阻和第二贴片电阻的竖直方向长度均为1.5mm,第二微带线a、第二微带线b的竖直方向尺寸均为3mm、水平方向尺寸均为3.52mm,第五贴片电容、第六贴片电容的竖直方向长度均为1.5mm;
第一内凹区域和第二内凹区域相邻的两条竖直边之间的距离为6mm,第一内凹区域和第二内凹区域相邻的两条竖直边与各自覆铜凸出区域最近一条竖直边之间的距离是2.74mm,第一内凹区域和第二内凹区域内部未覆铜区域的竖直高度为7.76mm,第一内凹区域、第二内凹区域靠近微带板边缘的两条竖直边与其最近的微带板边缘之间的距离是3mm,微带板最下端的边缘与第一微带线水平中心线之间的距离为18mm;
微带板左右对称设置,也就是关于第一内凹区域和第二内凹区域相邻的两条竖直边连线的中垂线对称。
2.根据权利要求1所述的一种高平坦度功率检测装置,其特征在于:接地孔(14)为金属化过孔。
3.根据权利要求1所述的一种高平坦度功率检测装置,其特征在于:微带板的介电常数2.2,厚度20mil。
4.根据权利要求1所述的一种高平坦度功率检测装置,其特征在于:所有贴片电容器的电容值均为1pF,所有贴片电阻器的电阻值为50Ω。
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