[发明专利]非对称环斜凸面阴极错盖层弧门控结构的发光背光源

说明书

本发明公开了一种非对称环斜凸面阴极错盖层弧门控结构的发光背光源，包括真空封闭体以及位于真空封闭体内的消气剂附属元件；所述的真空封闭体由前硬透玻璃板、后硬透玻璃板和玻璃窄框条构成；在前硬透玻璃板上设有阳极低膜电传层、阳极银曲连线层和薄发光层，所述的阳极低膜电传层和阳极银曲连线层相连，所述的薄发光层制作在阳极低膜电传层上面；在后硬透玻璃板上设有非对称环斜凸面阴极错盖层弧门控结构。具有制作工艺可靠、发光背光源的发光灰度可调节性能优异的优点。

技术领域

本发明属于集成电路科学与技术领域、平面显示技术领域、纳米科学与技术领域、光电子科学与技术领域、真空科学与技术领域、半导体科学与技术领域以及微电子科学与技术领域的相互交叉领域，涉及到平面发光背光源的制作，具体涉及到碳纳米管阴极的平面发光背光源的制作，特别涉及到一种非对称环斜凸面阴极错盖层弧门控结构的发光背光源及其制作工艺。

背景技术

碳纳米管是一种管径在纳米数量级的中空管状材料，具有良好的导电性能和极高的机械强度。结合丝网印刷工艺，能够把碳纳米管制作成碳纳米管层，也就是碳纳米管阴极，从而为发光背光源设备提供正常运转所需的电子。随着对碳纳米管阴极的制作、处理、调浆等工艺的推进，极大推动了发光背光源设备的研究进展。

但是，在三极结构的发光背光源中，还存在着一些技术困难需要解决。诸如，首先，碳纳米管阴极的制作面积很小。碳纳米管层是由许多碳纳米管构成的，没有足够大的碳纳米管阴极制作面积，也就是说没有足够数量的碳纳米管参与电子发射，这是无法形成发光背光源所需的大阴极电流的。其次，门极电压对碳纳米管阴极的控制能力比较差。门极的制作，就是为了能够对碳纳米管阴极的电子发射能力进行控制的；门极电压的增加，虽然碳纳米管阴极能够进行发射电子，但其发射电子的数量并不成比例增多，而是时多时少；若门极电压很小，碳纳米管阴极就不进行电子发射。第三，碳纳米管阴极的电子发射效率非常低下。在碳纳米管阴极中，有的碳纳米管能够进行电子发射，而有的碳纳米管根本就不发射电子；即使能够进行电子发射，其发射电子的数量也不是很多，也不能随着门极电压的变化而增加或减少。这些技术困难需要认真研究和采取相应的措施。

发明内容

发明目的：本发明的目的在于克服上述发光背光源中存在的缺陷和不足而提供一种制作工艺可靠的、发光背光源的发光灰度可调节性能优异的非对称环斜凸面阴极错盖层弧门控结构的发光背光源及其制作工艺。

技术方案：本发明的非对称环斜凸面阴极错盖层弧门控结构的发光背光源，包括真空封闭体以及位于真空封闭体内的消气剂附属元件；所述的真空封闭体由前硬透玻璃板、后硬透玻璃板和玻璃窄框条构成；在前硬透玻璃板上设有阳极低膜电传层、阳极银曲连线层和薄发光层，所述的阳极低膜电传层和阳极银曲连线层相连，所述的薄发光层制作在阳极低膜电传层上面；在后硬透玻璃板上设有非对称环斜凸面阴极错盖层弧门控结构。