[发明专利]温度补偿型声表面波器件的温补层上表层表面波抑制方法

说明书

本发明公开了一种温度补偿型声表面波器件的温补层上表层表面波抑制方法，包括如下步骤：1）清洗晶片；2）在晶片的器件面上制作声表面波器件的金属芯片；3）在金属芯片的金属面制作温度补偿层；4）在温度补偿层上开槽并涂覆吸声胶。本发明能够有效地阻断温度补偿层上表面上表面波的传播路径，并吸收掉温度补偿层上表面上表面波，提高TCSAW的电性能指标。

技术领域

本发明涉及声表面波器件加工技术领域，尤其涉及一种温度补偿型声表面波（TCSAW）器件的温补层上表层表面波抑制方法。

背景技术

声表面波（SAW）器件大量应用于各类通信中，在未来的通信应用中，为适应各种更加严酷的外界环境，迫切需要提高声表面波器件的工作稳定性。温度是影响声表面波器件工作稳定性的重要参数之一。在SAW器件的制作过程中，器件一旦封装完毕，其状态就确定了。但随着外界温度的变化，声表面波器件的许多参数，如叉指和基片的厚度、宽度以及弹性系数等都将随之发生变化，SAW的波速、频率也会因此而发生漂移；同时温度的变化还会产生热应力，恶化器件的工作性能。比如，在128˚YX铌酸锂上制作的SAW器件(TCF=-75ppm/℃)，在1GHz的中心频率下，工作温度从-55℃变化到85℃时，频率有10.5MHz的漂移。因此在温度变化过程中，如何保证SAW器件具有良好的稳定性，成为提高其工作性能的主要问题，许多专家学者对此进行了各种探索和研究。

为了满足更好的温度稳定性，需要在常规的SAW器件表面制作厚SiO₂等材料的温度补偿层。由于这层温度补偿层形成了和金属叉指结合的下表面和自由的上表面，声表面波器件工作的时候将会有波在这两个表面同时传播，最终性能叠加进入器件电性能中，自由上表面的声表波叠加进入器件电性能后会恶化器件电性能指标；因此，需要对自由的上表面声波进行抑制。

发明内容

针对现有技术存在的上述不足，本发明的目的在于解决现有TCSAW器件中自由上表面的声表波叠加进入器件电性能后会恶化器件电性能指标问题，提供一种温度补偿型声表面波器件的温补层上表层表面波抑制方法，能够有效抑制TCSAW器件的温补层上表层表面的声波，从而提高TCSAW的电性能指标。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是这样的：一种温度补偿型声表面波器件的温补层上表层表面波抑制方法，其特征在于：包括如下步骤：

1）清洗晶片；

2）在晶片的器件面上制作声表面波器件的金属芯片；

3）在金属芯片的金属面制作温度补偿层；

4）在温度补偿层上开槽并涂覆吸声胶：其中，槽宽为与空气接触的温度补偿层上表面声波传播波长的0.1～50倍，深度为与空气接触的温度补偿层上表面声波传播波长的0.1倍～整个温度补偿层厚度；该槽呈线形槽，其长度方向为垂直温度补偿层上表面传播波的方向；吸声胶的厚度为10nm～100nm。

作为优选，步骤4）中，

a）先采用丝网涂胶或者点胶机涂胶或者喷胶机喷胶方式在声通道表面涂覆10nm～100nm厚度的吸声胶；所述吸声胶将温度补偿层全面覆盖或间断分布于温度补偿层上，其中，间断分布中吸声胶长度方向为垂直于温度补偿层自由表面上声波的传播方向，间距为与空气接触的温度补偿层上表面声波传播波长的0.1～50倍，每一段宽度为与空气接触的温度补偿层上表面声波传播波长的0.1～50倍；

b）再采用划片机或者干法刻蚀方式在声通道表面的温度补偿层表面上开槽，其中，所开槽为单槽或密集槽，当开槽为单槽时，槽的位置处于声表面波器件的输入和输出端之间，当开槽为密集槽时，密集度为上表面传播波长的0.1～100倍。

作为优选，步骤4）中，