[发明专利]LED短路检测电路、驱动芯片及驱动方法在审

专利信息
申请号: 201911001215.4 申请日: 2019-10-21
公开(公告)号: CN110650574A 公开(公告)日: 2020-01-03
发明(设计)人: 刘宝生;胡渊 申请(专利权)人: 深圳市富满电子集团股份有限公司
主分类号: H05B33/08 分类号: H05B33/08
代理公司: 11514 北京酷爱智慧知识产权代理有限公司 代理人: 占丽君
地址: 518000 广东省深圳市福*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 电流放大电路 可配置电压 输出端连接 输入端 开关控制电路 采样电压输出端 烧坏 短路检测电路 输入端连接 基准电压 偏置电压 短路 输出端 电路
【说明书】:

发明提供的LED短路检测电路,可配置电压源的输入端连接第一基准电压和LED驱动芯片的VREXT端,可配置电压源的偏置电压输出端连接至电流放大电路的第一输入端,可配置电压源的采样电压输出端连接至开关控制电路的输入端,开关控制电路的输出端连接至电流放大电路的第二输入端,电流放大电路的输出端连接LED驱动芯片的输出端。该电路解决现有技术中,LED灯珠由于LED驱动芯片的VREXT端短路导致容易烧坏的缺陷。

技术领域

本发明属于集成电路芯片技术领域,具体涉及LED短路检测电路、驱动芯片及驱动方法。

背景技术

常见的LED驱动芯片一般采用恒流驱动方法驱动LED灯珠。LED灯珠的工作电流由LED驱动芯片的VREXT端通过外接精密电阻调节,外接电阻越小,流过LED灯珠的电流越大。一般LED灯珠的工作电流小于30mA,如果LED灯珠流过过大的电流,会使LED灯珠出现高亮现象,长时间的高亮会导致LED灯珠烧坏,进而影响LED显示屏的显示效果。

为了解决上述问题,现有方法通过对LED驱动芯片的VREXT端进行电压采样,并与参考电压比较后,判断是否关闭驱动电路。但是该方法的缺点是当VREXT端短路时,电压为低电位,容易受电源电压和衬底噪声等影响导致误判断,进而反而影响LED显示屏的显示效果。

发明内容

针对现有技术中的缺陷,本发明提供一种LED短路检测电路、驱动芯片及驱动方法,解决现有技术中,LED灯珠由于LED驱动芯片的VREXT端短路导致容易烧坏的缺陷。

第一方面,一种LED短路检测电路,包括可配置电压源、开关控制电路和电流放大电路;

可配置电压源的输入端连接第一基准电压和LED驱动芯片的VREXT端,可配置电压源的偏置电压输出端连接至电流放大电路的第一输入端,可配置电压源的采样电压输出端连接至开关控制电路的输入端,开关控制电路的输出端连接至电流放大电路的第二输入端,电流放大电路的输出端连接LED驱动芯片的输出端。

优选地,所述可配置电压源包括运算放大器OP1和PMOS管PM_1;

所述第一基准电压连接至运算放大器OP1的同向输入端,所述LED驱动芯片的VREXT端连接至运算放大器OP1的反向输入端,运算放大器OP1的输出端连接至PMOS管PM_1的栅极,PMOS管PM_1的源极接高电平,PMOS管PM_1的漏极接运算放大器OP1的反向输入端。

运算放大器OP1的检测端作为所述可配置电压源的采样电压输出端,运算放大器OP1的输出端作为所述可配置电压源的偏置电压输出端。

优选地,所述开关控制电路包括PMOS管PM_3、电流源Ib、触发器SMIT1和开关SW1;

所述可配置电压源的采样电压输出端连接至PMOS管PM_3的栅极,PMOS管PM_3的源极接高电平,PMOS管PM_3的漏极通过串联所述电流源Ib接地,PMOS管PM_3的漏极接触发器SMIT1的输入端,触发器SMIT1的输出端接开关SW1的控制端,开关SW1的一触点端接地,开关SW1的另一触点端连接至开关控制电路。

优选地,所述触发器SMIT1为施密特触发器。

优选地,所述电流放大电路包括运算放大器OP2、运算放大器OP3、PMOS管PM_2、NMOS管NM_1、NMOS管NM_2和NMOS管NM_3;

所述可配置电压源的偏置电压输出端连接至PMOS管PM_2的栅极,PMOS管PM_2的源极接高电平,PMOS管PM_2的漏极接NMOS管NM_1的漏极,PMOS管PM_2的漏极还接运算放大器OP2的反向输入端,运算放大器OP2的同向输入端接第二基准电压,运算放大器OP2的输出端接NMOS管NM_1的栅极,NMOS管NM_1的源极接地,运算放大器OP2的输出端接所述开关SW1的触点端;

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