[发明专利]LED驱动装置在审
| 申请号: | 201910997296.1 | 申请日: | 2019-10-21 |
| 公开(公告)号: | CN110784963A | 公开(公告)日: | 2020-02-11 |
| 发明(设计)人: | 周宇坤 | 申请(专利权)人: | 杭州宽福科技有限公司 |
| 主分类号: | H05B45/30 | 分类号: | H05B45/30 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 310012 浙江省杭州市西湖*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 驱动电流 驱动电路 电阻 | ||
本发明公开了一种LED驱动装置。LED驱动装置包括第一电阻、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一PMOS管和LED灯。利用本发明提供的LED驱动装置可以使得驱动电流随温度的变化小,驱动电路的稳定性高。
技术领域
本发明涉及电子技术领域,尤其涉及到LED驱动装置。
背景技术
LED驱动电流随温度的变化越小,驱动电路的稳定性越高,由此对LED造成的影响就小,同时对照明的效果也会好。
发明内容
本发明旨在解决现有技术的不足,提供一种LED驱动装置。
LED驱动装置,包括第一电阻、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一PMOS管和LED灯:
所述第一电阻的一端接电源电压VCC,另一端接所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极;所述第一NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一电阻的一端和所述第二NMOS管的栅极,源极接地;所述第二NMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的栅极和漏极,漏极接所述LED灯的N极,源极接所述第三NMOS管的漏极;所述第三NMOS管的栅极接电源电压VCC,漏极接所述第二NMOS管的源极,源极接所述第一PMOS管的源极;所述第一PMOS管的栅极接地,漏极接地,源极接所述第三NMOS管的源极;所述LED灯的P极接电源电压VCC,N极接所述第二NMOS管的漏极。
所述第三NMOS管和所述第一PMOS管都处于线性状态,通过调节宽长比来调节沟道电阻,同时利用NMOS管的阈值电压、NMOS管的沟道电阻和PMOS管的沟道电阻的温度特性,即:NMOS管的阈值电压呈负温度系数,NMOS管的沟道电阻呈正温度系数,PMOS管的沟道电阻呈负温度系数;通过调节这三个的温度系数来达到低温度系数的驱动LED的电流。
附图说明
图1为本发明的LED驱动装置的电路图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明内容进一步说明。
LED驱动装置,如图1所示,包括第一电阻101、第一NMOS管102、第二NMOS管103、第三NMOS管104、第一PMOS管105和LED灯106:
所述第一电阻101的一端接电源电压VCC,另一端接所述第一NMOS管102的栅极和漏极和所述第二NMOS管103的栅极;所述第一NMOS管102的栅极和漏极接在一起再接所述第一电阻101的一端和所述第二NMOS管103的栅极,源极接地;所述第二NMOS管103的栅极接所述第一电阻101的一端和所述第一NMOS管102的栅极和漏极,漏极接所述LED灯106的N极,源极接所述第三NMOS管104的漏极;所述第三NMOS管104的栅极接电源电压VCC,漏极接所述第二NMOS管103的源极,源极接所述第一PMOS管105的源极;所述第一PMOS管105的栅极接地,漏极接地,源极接所述第三NMOS管104的源极;所述LED灯106的P极接电源电压VCC,N极接所述第二NMOS管103的漏极。
所述第三NMOS管104和所述第一PMOS管105都处于线性状态,通过调节宽长比来调节沟道电阻,同时利用NMOS管的阈值电压、NMOS管的沟道电阻和PMOS管的沟道电阻的温度特性,即:NMOS管的阈值电压呈负温度系数,NMOS管的沟道电阻呈正温度系数,PMOS管的沟道电阻呈负温度系数;通过调节这三个的温度系数来达到低温度系数的驱动LED的电流。
对上述所提供的实施方式的说明,仅是本发明的优选实施方式的说明,对本技术领域的技术人员来说能够根据以上说明进行实现或使用本发明。应当指出,对于本技术领域的技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和变形,任何不超出本发明实质精神范围内的发明创造,应视为本发明的保护范围。
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