[发明专利]一种GaN功率放大器保护电路

权利要求书

1.一种GaN功率放大器保护电路，其中，所述GaN功率放大器保护电路包括供电控制电路，检测控制电路以及电压提供电路；

所述供电控制电路包括场效应管以及控制模块，所述控制模块与所述场效应管相连接以控制所述场效应管的导通或截止，所述场效应管的漏级直接或间接地连接至电源电压输入端，所述场效应管的源级直接或间接地连接至GaN功率放大器的漏级；

所述检测控制电路包括第一二极管，所述第一二极管的负极连接至所述GaN功率放大器的漏级且正极直接或间接地连接至所述控制模块；

所述电压提供电路连接至所述检测控制电路的一端，用于输出第一电压。

2.根据权利要求1所述的GaN功率放大器保护电路，其中，所述GaN功率放大器保护电路通过检测所述GaN功率放大器的漏极阻抗来控制所述GaN功率放大器的漏极电压；当所述GaN功率放大器的栅极电压未正确加载时，所述GaN功率放大器的漏极阻抗为零，所述第一二极管导通，所述控制模块控制所述场效应管截止，所述GaN功率放大器的漏极电压为零；当所述GaN功率放大器的栅极电压正确加载时，所述GaN功率放大器的漏极阻抗较高，所述第一二极管截止，所述控制模块控制所述场效应管导通，所述GaN功率放大器正确加载漏极电压。

3.根据权利要求1所述的GaN功率放大器保护电路，其中，所述供电控制电路还包括第二二极管，所述场效应管的源级连接至所述第二二极管的正极，所述第二二极管的负极连接至所述GaN功率放大器的漏级。

4.根据权利要求1所述的GaN功率放大器保护电路，其中，所述控制模块为热插拔控制器，所述场效应管的栅极直接或间接地连接至所述热插拔控制器的Gate引脚，所述场效应管的漏极连接至所述热插拔控制器的Sense引脚，所述场效应管的源级连接至所述热插拔控制器的Out引脚，所述第一二极管的正极直接或间接地连接至所述热插拔控制器的En引脚。

5.根据权利要求4所述的GaN功率放大器保护电路，其中，当所述EN引脚的输入电压低于门限电平时，所述场效应管截止；当所述EN引脚的输入电压高于所述门限电平时，所述场效应管导通。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的GaN功率放大器保护电路，其中，所述第一二极管的正极间接地连接至所述控制模块，所述检测控制电路还包括比较器，所述比较器的一个输入端连接至参考电压输入端，所述比较器的另一个输入端间接地连接至所述电压提供电路的输出端以及所述第一二极管的正极，所述比较器的输出端连接至所述控制模块。

7.根据权利要求6所述的GaN功率放大器保护电路，其中，当所述比较器的另一个输入端的输入电压大于参考电压时，所述比较器的输出端的输出电压能够使得所述控制模块控制所述场效应管导通；当所述比较器的另一个输入端的输入电压低于参考电压时，所述比较器的输出端的输出电压能够使得所述控制模块控制所述场效应管截止。

8.根据权利要求6所述的GaN功率放大器保护电路，其中，所述检测控制电路包括第一电阻、第二电阻以及第三电阻，所述第一电阻连接至所述电压转换电路的输出端，所述第二电阻连接至所述第一二极管的正极，所述第一电阻和所述第二电阻串联分压且分压输出端连接至所述第三电阻的一端，所述第三电阻的另一端连接至所述比较器的另一个输入端。

9.根据权利要求6所述的GaN功率放大器保护电路，其中，所述检测控制电路包括第四电阻，所述第四电阻的一端连接至所述比较器的另一个输入端，且另一端分别连接至所述电压转换电路的输出端以及所述第一二极管的正极。

10.根据权利要求1所述的GaN功率放大器保护电路，其中，所述第一二极管的正极直接连接至所述控制模块，所述检测控制电路还包括第五电阻，所述第五电阻的一端连接至所述电压转换电路的输出端，且一端分别连接至所述第一二极管的正极以及所述控制模块。