[发明专利]一种高性能rGO/CNF力电传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种高性能rGO/CNF力电传感器的制备方法，其特征在于：将双组分环氧树脂在常温常压下以A:B＝1:1混合后固化得到绝缘弹性基体，将连续弯曲的金属导线设置在绝缘弹性基体内，两端固定使导线悬空，导线最低处距绝缘弹性基体底面高度为1mm，待弹性基体固化后，从一端抽出导线，抽至端口处，保留3mm长度于弹性基体内部，得到弯曲管道，弯曲管道端口处与基体长度方向平行，将具有流动性的rGO/CNF液态敏感材料注入弯曲管道内，用导线封堵端口，导线置于弹性基体内部的长度为3mm；

制作得到的传感器包括一组弯曲管道、弹性基体、以及具有流动性的rGO/CNF液态敏感材料；所述弯曲管道横截面为圆形，直径1mm，位于弹性基体内部，采用连续弯曲导线为模板进行构筑；弯曲管道端口平面与基体长度方向平行，弯曲管道垂直截面为多个圆环连接，相邻圆环的开口方向相反，相邻圆环的内外半径相等；相邻两段圆环为一个弯曲数目，弯曲数目为多个；具有流动性的rGO/CNF液态敏感材料设置在弯曲管道内，弯曲管道两端通过电极封堵；其中具有流动性的rGO/CNF液态敏感材料包括CNF三维骨架、rGO微纳粒子和异丙醇；悬浮液的电导率为2～10S/m。

2.根据权利要求1所述的一种高性能rGO/CNF力电传感器的制备方法，其特征在于：CNF三维骨架为白色的绝缘微纳材料，微观形貌为长1～3μm，直径4～10nm的纳米线。

3.根据权利要求1所述的一种高性能rGO/CNF力电传感器的制备方法，其特征在于：所述rGO微纳粒子为粒径大小1～2μm的泡沫状颗粒，厚度为1～3层碳原子层，采用氧化还原鳞片石墨制备。

4.根据权利要求1所述的一种高性能rGO/CNF力电传感器的制备方法，其特征在于：所述弹性基体为15×10×3mm³大小的长方形薄膜，采用双组分的环氧树脂在常温常压下固化得到。

5.根据权利要求1所述的一种高性能rGO/CNF力电传感器的制备方法，其特征在于：所述电极为Al导线，横截面为直径1mm的圆柱，前期作为弯曲管道的模具，管道成型后拉直并置于端口处，封堵管道同时作为外接电极。

6.根据权利要求1所述的一种高性能rGO/CNF力电传感器的制备方法，其特征在于：所述的具有流动性的rGO/CNF液态敏感材料中CNF三维骨架的质量分数5％，rGO微纳粒子的质量分数为15％。

7.根据权利要求1所述的一种高性能rGO/CNF力电传感器的制备方法，其特征在于：所述电极材料为Ag或Cu。