[发明专利]一种高熵合金基高温太阳能吸收涂层及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910964337.7 申请日: 2019-10-11
公开(公告)号: CN110699642B 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: 高祥虎;刘刚 申请(专利权)人: 中国科学院兰州化学物理研究所
主分类号: C23C14/06 分类号: C23C14/06;C23C14/10;C23C14/16;C23C14/35;F24S70/25
代理公司: 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 代理人: 曹向东
地址: 730000 甘*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要:
搜索关键词: 一种 合金 高温 太阳能 吸收 涂层 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种高熵合金基高温太阳能吸收涂层,其特征在于:该涂层由抛光不锈钢片构成的吸热体基底、W构成的红外反射层、AlCrWTaTiNbN构成的主吸收层、AlCrWTaTiNbNO构成的次吸收层和SiO2构成的减反射层组成;所述主吸收层是指采用等摩尔比的金属Al、Cr、W、Ta、Ti、Nb通过熔炼法制备的AlCrWTaTiNb高熵合金的氮化物;所述次吸收层是指采用等摩尔比的金属Al、Cr、W、Ta、Ti、Nb通过熔炼法制备的AlCrWTaTiNb高熵合金的氮氧化物;所述吸热体基底的粗糙度值为0.5~3 nm;所述红外反射层的厚度为30~60 nm;所述主吸收层的厚度为25~60 nm;所述次吸收层的厚度为35~75 nm;所述减反射层的厚度为40~80nm;所述AlCrWTaTiNb高熵合金是指将等摩尔比的金属Al、Cr、W、Ta、Ti、Nb放入石墨坩埚内,然后将其放入真空熔炼炉并抽真空至6×10-6~9×10-6 Torr,于3600~4100℃熔融后浇筑成型,经切割、打磨即得。

2.如权利要求1所述的一种高熵合金基高温太阳能吸收涂层的制备方法,包括以下步骤:

⑴对吸热体基底进行处理;

⑵在处理后的所述吸热体基底上制备红外反射层:以纯度为99.99%的W作为磁控溅射靶材,在氩气气氛中采用直流磁控溅射方法制得;其中工作参数:真空室预抽本底真空至3.0×10-6~6.0×10-6Torr;W靶材的溅射功率密度为3.0~7.2W/m2 ,溅射沉积时氩气的进气量为20~60 sccm,沉积W厚度为30~60 nm;

⑶在所述红外反射层上制备主吸收层:以纯度为99.9%的AlCrWTaTiNb高熵合金作为溅射靶材,在氩气与氮气气氛中采用射频反应磁控溅射方法制得;其中工作参数:AlCrWTaTiNb靶材的溅射功率密度为2.0~6.5W/cm2 ,溅射沉积时氩气的进气量为20~60sccm,氮气的进气量为0.5~6sccm,沉积AlCrWTaTiNbN的厚度为25~60nm;

⑷在所述主吸收层上制备次吸收层:以纯度为99.9%的AlCrWTaTiNb高熵合金作为溅射靶材,在氩气和氮气及氧气气氛中采用射频反应磁控溅射方法制得;其中工作参数:AlCrWTaTiNb靶材的溅射功率密度为2.0~6.5W/cm2 ,溅射沉积时氩气的进气量为20~60sccm,氮气的进气量为5~15sccm,氧气的进气量为2~8sccm,沉积AlCrWTaTiNbNO厚度为35~75 nm;

⑸在所述次吸收层上制备减反射层:以纯度99.99%的SiO2作为磁控溅射靶材,在氩气气氛中采用射频磁控溅射方法制得;其中工作参数:SiO2靶材的溅射功率密度为5~10W/cm2 ,溅射沉积时氩气的进气量为20~60 sccm,沉积厚度为40~80 nm。

3.如权利要求2所述的一种高熵合金基高温太阳能吸收涂层的制备方法,其特征在于:所述步骤⑴中吸热体基底的处理是指去除基底抛光不锈钢片表面附着的杂质后,分别在丙酮和无水乙醇中超声清洗10~20分钟,氮气吹干保存。

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